[发明专利]一种含有掺杂元素的太阳能级硅晶体的制备方法无效
| 申请号： | 200910097894.X | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101560693A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 李乔;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B27/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312300浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含有 掺杂 元素 太阳 能级 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种含有掺杂元素的太阳能级硅晶体的制备方法，将含掺杂元素的硅熔液置入坩埚反应器内，采用定向凝固法或提拉法制备硅晶体，所述的掺杂元素为硼、磷、镓中的一种或多种，其特征在于：在硅晶体的制备过程中，将保护气体通入晶体生长炉内并流经硅熔液表面，所述的保护气体为：
a)含氢原子的气体；
或b)含氢原子的气体与惰性气体的混合物。
2、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的含氢原子的气体为H2、SiH4、CH4中的至少一种。
3、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的惰性气体为氦气、氩气、氮气中的至少一种。
4、如权利要求1、2或3所述的制备方法，其特征在于：采用定向凝固法制备硅晶体，所述的保护气体在硅熔液表面所形成的压力为100Pa～1atm。
5、如权利要求1、2或3所述的制备方法，其特征在于：采用提拉法制备硅晶体，所述的保护气体在硅熔液表面所形成的压力为100Pa～5000Pa。
6、如权利要求1、2或3所述的制备方法，其特征在于：持续保护气体的通入直至硅晶体生长完成并冷却。
7、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述掺镓、掺硼和/或掺磷硅晶体为单晶硅晶棒、多晶硅晶棒或多晶硅铸锭。
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