[发明专利]一种大规模集成电路引线框架的制造方法有效
申请号: | 200910101391.5 | 申请日: | 2009-07-31 |
公开(公告)号: | CN101630644A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 陈孝龙;陈明明;李靖;朱敦友 | 申请(专利权)人: | 宁波华龙电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
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地址: | 315124浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大规模集成电路 引线 框架 制造 方法 | ||
1.一种大规模集成电路引线框架的制造方法,包括以下工艺步骤:
①连续冲压:在模具上连续冲压出具引线框架初坯(11)的带圈(8);所述引线框架初坯(11)包括中心区域的矩形芯片岛(6)和均布于所述芯片岛(6)四侧的多个引脚(4),所述芯片岛(6)由设于其四角的连接片(7)与带圈(8)相连接;
②连续电镀:将具所述引线框架初坯(11)的所述带圈(8)进行电镀,电镀区域包括所述引脚(4)的根部焊接区(5)和所述芯片岛(6)正面;
③切片定尺:将电镀后的所述带圈(8)切断分片,获得单版引线框架片,每版引线框架片中具多个成品引线框架单元;
其特征在于:
在连续冲压步骤,所述引线框架初坯(11)内靠近所述芯片岛(6)四侧的多个引脚(4)一端,保留有将每侧多个引脚(4)端部连成一体的连筋(12);
在连续电镀步骤,所述带圈(8)受多个导向轮(15)牵引传动,相邻的两个导向轮(15)之间设有电镀导轮(17);所述带圈(8)穿梭于所述导向轮(15)和所述电镀导轮(17)之间;所述电镀导轮(17)内腔设有喷环(18),电镀液由所述喷环(18)的环形喷嘴(19)呈扇形经所述电镀导轮(17)径向电镀孔喷射至所述带圈(8)的电镀区域产生镀层;
在切片定尺步骤,切断带圈(8)定尺时同步切除靠近所述芯片岛(6)四侧的引脚(4)端部连筋(12),获得成品引线框架。
2.如权利要求1所述大规模集成电路引线框架的制造方法,其特征在于:所述带圈(8)与所述电镀导轮(17)相包容的外表面设有掩模带(20),所述掩模带(20)与所述带圈(8)等速传动。
3.如权利要求1或2所述大规模集成电路引线框架的制造方法,其特征在于:所述带圈(8)与所述电镀导轮(17)的包容角度为120°~150°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造