[发明专利]一种大规模集成电路引线框架的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体微电子封装用引线框架产品的制造技术，尤其指冲压类型引线框架的制造方法。

背景技术

随着科学技术的快速发展，尤其是半导体微电子智能化技术的迅猛发展，大规模集成电路元器件正日益呈现出小型化、薄型化和集成化的行业发展态势，因此与之相配套、作为大规模集成电路基础元器件的集成电路引线框架部件，其外形厚度日渐趋于薄型，芯片岛外围引脚数量少则十余个，多则数十个，加工制造难度要远远大于普通的三极管引线框架产品。众所周知，现有引线框架产品的制造方式主要包括蚀刻和冲压两类生产工艺，与前者相比较，后者因具有高速、高效的优势而广泛被行业内厂家采纳应用。在采用冲压工艺制造时，一般包括有带圈连续冲压成型、连续电镀和切片分装等工序，分装后的每条引线框架片材往往包括有10余个独立引线框架单元，半导体集成电路封装厂家应用此类引线框架片材进行封装后，再一次性切除多余的连接部件，制造出10余个半导体集成电路。以行业代码为LQFP44F型号的引线框架为例，该产品的铜带基材厚度仅为0.15mm，芯片岛每侧具11个引脚共计44个；为了确保后续封装工序的顺利进行，技术上要求芯片岛四侧引脚的共面性不超过0.12mm，相邻引脚端部位移不超过0.05mm；在实际制造过程中，现行的工艺是在带圈上一次性冲压出具引线框架成品形状的半成品带圈，再进行电镀和切片分装；而该半成品的带圈在后续的电镀以及将带圈切为片材的工序中，往往会由于芯片岛四侧引脚端部已经互相分离、刚性较弱，其诸多引脚极易受到电镀导轮和掩模带压力、电镀液冲击以及切片传输时与模具表面的水平摩擦而发生变形错位，使得成品引线框架引脚的共面性和位移量指标超出技术标准范围，成品合格率下降，无法满足后续的大规模集成电路封装工序应用所需。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有大规模集成电路引线框架引脚的共面性和位移量指标合格率较低的缺陷和不足，向社会提供一种生产效率高、成品质量稳定、合格率高的大规模集成电路引线框架的制造方法，以满足后续的大规模集成电路封装工序应用所需。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种大规模集成电路引线框架的制造方法，包括以下工艺步骤：①连续冲压：在模具上连续冲压出具引线框架初坯的带圈；所述引线框架初坯包括中心区域的矩形芯片岛和均布于所述芯片岛四侧的多个引脚，所述芯片岛由设于其四角的连接片与带圈相连接；②连续电镀：将具所述引线框架初坯的所述带圈进行电镀，电镀区域包括所述引脚的根部焊接区和所述芯片岛正面；③切片定尺：将电镀后的所述带圈切断分片，获得单版引线框架片，每版引线框架片中具多个成品引线框架单元；

在连续冲压步骤，所述引线框架初坯内靠近所述芯片岛四侧的多个引脚一端，保留有将每侧多个引脚端部连成一体的连筋；

在连续电镀步骤，所述带圈受多个导向轮牵引传动，相邻的两个导向轮之间设有电镀导轮；所述带圈穿梭于所述导向轮和所述电镀导轮之间；所述电镀导轮内腔设有喷环，电镀液由所述喷环的环形喷嘴呈扇形经所述电镀导轮径向电镀孔喷射至所述带圈的电镀区域产生镀层；

在切片定尺步骤，切断带圈定尺时同步切除靠近所述芯片岛四侧的引脚端部连筋，获得成品引线框架。

所述带圈与所述电镀导轮相包容的外表面设有掩模带，所述掩模带与所述带圈等速传动；所述带圈与所述电镀导轮的包容角度为120°～150°。

本发明大规模集成电路引线框架的制造方法，在由带圈原料连续冲压出具引线框架初坯的带圈半成品时，在引线框架初坯内靠近芯片岛四侧的多个引脚一端，保留有将每侧多个引脚端部连成一体的连筋；该连筋的设置较现有技术采用的直接冲压出单个悬臂式引脚相比，芯片岛四侧的引脚刚性大大增强，可以有效抵御后续制造工序中所受的电镀导轮和掩模带压力、电镀液冲击力影响，大大缓解和减少引脚端口翘曲形变发生，同时也可有效避免切片传输时引脚端口与模具表面的钩挂错位变形；本发明技术采用的连续电镀步骤，将具引线框架初坯的带圈由多个导向轮牵引传动并穿梭于所述导向轮和所述电镀导轮之间；电镀液由所述喷环的环形喷嘴呈扇形经所述电镀导轮径向电镀孔喷射至所述带圈的电镀区域产生镀层；所述带圈与所述电镀导轮相包容的外表面设有掩模带，在实现连续高效生产的同时，可确保电镀层区域形状的前后一致；在切断带圈定尺时，同步切除引脚端部连筋后即行包装，有效确保成品引线框架引脚的共面性和位移量指标在技术要求范围内，从而获得高品质的引线框架产品。本发明专利制造方法具有构思新颖、工序简单、受益显著的优点，可以广泛应用于大规模集成电路引线框架制造。

附图说明

图1是本发明连续冲压的具引线框架初坯的带圈结构示意图。