[发明专利]一种用微波合成氯丙基修饰的MCM-41的方法无效

专利信息
申请号: 200910103704.0 申请日: 2009-04-28
公开(公告)号: CN101538050A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 曹渊;徐彦芹;吴慧;袁庆华;刘柏林;李岩 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C01B39/02 分类号: C01B39/02
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所 代理人: 涂 强
地址: 400044重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 微波 合成 丙基 修饰 mcm 41 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及合成有机官能化的介孔分子筛的方法,具体涉及合成氯丙基修饰的MCM-41的方法。

背景技术

从1992年美国Mobil公司首次合成介孔分子筛M41S以来,由于介孔分子筛具有均一可调的孔径、稳定的骨架结构、一定的壁厚、较大的比表面积、吸附容量大、表面有硅羟基(Si-OH)和易被修饰等优点,在催化、吸附、环境和生物材料等领域得到了广泛的应用;并以较快的速度发展,目前已经发展了多种系列类型,例如MCM系列,SBA系列等。

把介孔分子筛有机官能化,是提升其性能的重要手段之一。其中,氯丙基修饰的MCM-41就是在MCM-41(介孔分子筛)的基础上,用氯丙基(有机官能团)来对其进行修饰、而使其有机官能团化的。目前制备氯丙基修饰的MCM-41的方法有两种,一种是用水热晶化法直接制备,即在原制备MCM-41的过程中,同时用共聚引入氯丙基来进行修饰,然后用醇酸法去其模板剂而得到氯丙基修饰的MCM-41产品;另一种方法需分两步完全,首先是用微波晶化、煅烧去模板剂而得到MCM-41,然后再用甲苯和3-氯丙基三乙氧基硅烷来嫁接氯丙基(即接枝法或嫁接法),而得到氯丙基修饰的MCM-41产品。前一种虽然能够直接制备,但其方法耗时较长,最短也需要5~7天;后一种方法不但其过程相对复杂、耗能较多、对环境污染也较大,而且制得的氯丙基修饰的MCM-41的有序性较差。

发明内容

发明的目的是,克服现有技术的不足,提供一种用时相对较短、过程相对简单、节省能源、对环境污染较小、且其样品的有序性较好的用微波合成氯丙基修饰的MCM-41的方法。

实现所述目的之技术方案是这样一种用微波合成氯丙基修饰的MCM-41的方法。该方法的步骤包括:

(1)首先将CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)与2.0mol/L的NaOH溶液和蒸馏水混合,放入60~80℃水浴锅中,加热到CTAB完全溶解,其中,CTAB∶2.0mol/L的NaOH溶液∶蒸馏水=1g∶7.2~7.5ml∶1000ml。其改进之处是本方法还有如下步骤:

(2)在步骤(1)的溶液澄清后,加入正硅酸乙酯和3-氯丙基三乙氧基硅烷,磁力搅拌2h,其中,蒸馏水∶正硅酸乙酯∶3-氯丙基三乙氧基硅烷=1000ml∶8~16ml∶1.6~6.4ml;

(3)将步骤(2)的溶液转移至微波化学反应器的反应釜中,调节微波功率为40~240W,微波回流15~120min;趁热过滤,水洗,干燥;

(4)将步骤(3)的干燥制品溶解在盐酸和乙醇的混合溶液中,在80℃下静置6~24h,其中,步骤(3)的干燥制品∶盐酸和乙醇的混合溶液=1g∶200ml;盐酸和乙醇的容积比为1∶9;

(5)将步骤(4)的溶液过滤,用乙醇冲洗,在60~80℃下干燥,得氯丙基修饰的MCM-41。

从方案中可以看出,与现有的用水热晶化法来直接制备氯丙基修饰的MCM-41的方法不同,本发明在直接制备氯丙基修饰的MCM-41的过程中,引入了微波、即采用了微波共聚法来制备氯丙基修饰的MCM-41。这样一来,就大大地缩短晶化时间、进而极大地缩短了制备氯丙基修饰的MCM-41的时间。

与现有的接枝法制备氯丙基修饰的MCM-41不同,本发明是在微波晶化、制备MCM-41的过程中就加入了修饰剂(3-氯丙基三乙氧基硅烷),然后用盐酸和乙醇的混合溶液脱除模板,而直接制备出氯丙基修饰的MCM-41。这样一来,不但过程相对简单、而节省了能耗,而且因省去了接枝法中所用的甲苯、而降低了对环境的污染。检测结果还表明,本发明制备的氯丙基修饰的MCM-41具有较好的有序性。

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

附图说明

图1、图2、图3——本发明方法与现有接枝法制备的氯丙基修饰的MCM-41的XRD(X射线衍射)对比图谱

其中,a1、a2、a3:分别为本发明方法所制备的氯丙基修饰的MCM-41的XRD(X射线衍射)图谱。b:用接枝法制备的氯丙基修饰的MCM-41的XRD(X射线衍射)图谱。

具体实施方式

一种用微波合成氯丙基修饰的MCM-41的方法,该方法的步骤包括:

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