[发明专利]低辐射膜玻璃的浮法在线生产方法无效
申请号: | 200910105217.8 | 申请日: | 2009-01-20 |
公开(公告)号: | CN101475320A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 王杏娟;谭小安;刘建党 | 申请(专利权)人: | 中国南玻集团股份有限公司 |
主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34;C03B18/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 曾旻辉;朱晓江 |
地址: | 518047广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射 玻璃 在线 生产 方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及浮法玻璃领域,尤其涉及一种低辐射膜玻璃的浮法在线生产方法。
【背景技术】
低辐射膜玻璃也叫Low-emissivity(Low-E)镀膜玻璃,它的特点是允许太阳能中的热辐射部分进入室内,而将室内暖气和室内物体散发的绝大部分热辐射反射回室内,保证室内的热量不向室外流失,从而节省了取暖费用;同时它还具有较高的可见光透射率和较低的可见光反射率,避免了光污染。
在玻璃上镀低辐射膜,比如二氧化锡膜,可以用来改变玻璃对中远红外线的辐射和反射特性。但是直接在玻璃表面镀低辐射膜,由于玻璃内部的碱金属离子容易迁移到玻璃表面,从而会劣化所镀膜层的电热性能,使得表面电阻增加,并且物理化学稳定性会降低,并使得低辐射层产生白色浑浊体,导致玻璃的透明度下降。在玻璃和低辐射膜层的中间镀上一层过渡的屏蔽膜层,则可以解决这些问题。
在镀屏蔽层所用的硅烷分解温度大约在620℃~640℃,英国专利文献GB1507465阐述了在热玻璃表面上,在无氧状态下利用含硅烷混合气体的热分解沉积生成硅膜的方法,这种膜是比较均匀的,具有良好的太阳光控制性能。英国专利文献GB1573154论述了增加一种能吸附电子的化合物乙烯,使硅烷气体在热玻璃表面分解时释放出电子,这样就增加了镀硅膜玻璃的抗碱性。
在对玻璃的镀膜领域已经知道许多种方法,这些方法包括了真空磁控溅射法、溶胶凝胶法、真空蒸镀法、热喷涂法、化学气相沉积法等。如中国发明专利CN97190763.3公开了一种化学气相沉积工艺浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法,该方法采用的是气化的反应物混合物作为镀膜材料,用热的载气流将分散或流化的有机锡粉末气化,也可将溶剂化的有机锡化合物注入到热的载气流中,有机锡的反应气流包括有机锡、氧化剂、惰性气体等,但是该方法涉及的反应物质要求在高温下瞬间分解反应,不容易控制,而且工艺比较复杂。
【发明内容】
本发明的目的是提供一种浮法在线的生产低辐射膜玻璃的方法,是利用常压化学气相沉积法,采用合适的前质体气体混合物分两步在热的玻璃表面上沉积二氧化硅的屏蔽层和掺氟、锑和磷的氧化锡低辐射层的复合膜层。
为达到上述发明目的,本发明提出以下的技术方案:
一种低辐射膜玻璃的浮法在线生产方法,包含以下步骤:
S1在浮法玻璃生产线上,熔融的玻璃液浮在锡槽内运动并逐渐冷却形成玻璃带,玻璃带离开锡槽进入气氛控制室,在气氛控制室内采用常压化学气相沉积法,将由硅烷、含氧源、乙烯组成的前质体气体混合物以惰性气体为载体,以高于的速度沉积在浮法玻璃带表面形成屏蔽层,玻璃带的温度为610~710℃,屏蔽层的厚度在40nm~100nm、折射率为1.45~1.65。
S2将沉积了屏蔽层的玻璃传输到退火窑,在退火窑内温度为540~610℃的区域,向沉积了屏蔽层的浮法玻璃带表面通入已被雾化的含有锡源、锑源、氟源、磷源以及催化剂、氧化剂和稳定剂而混合制成的前质体气体混合物,用氮气作为载体,以高于的速度进行热分解反应,在镀有屏蔽层的玻璃带上形成厚度为200~560nm、辐射率小于0.2的具有低辐射性能的膜层。
优选地,在步骤S1中,所述气氛控制室的入口和出口处通入高速流动的包含氮气和/或氢气的保护气体来隔绝气氛控制室内的前质体气体混合物与外界空气的流通。
优选地,在步骤S1中,所述用于沉积屏蔽层的前质体气体混合物中的硅烷浓度为5~20%,乙烯浓度为85~100%,含氧源浓度为2~20%。
优选地,在步骤S1中,所述硅源是选自正硅酸乙酯、硅氧基硅烷、四氯硅烷、一氟硅烷、二氟硅烷、三氟硅烷和四氟硅烷中的至少一种。
优选地,在步骤S1中,所述含氧源是氧气、二氧化碳、空气、氧化二氮或亚磷酸三乙酯,所述惰性气体是氮气。
优选地,在步骤S1中,所述用于沉积屏蔽层的前质体气体混合物中各组分的体积比为:硅源:含氧源:乙烯:惰性气体=[0.5~1.5]:[2~8]:[2~9]:[3~10]。
优选地,在步骤S2中,所述锡源是选自单丁基三氯化锡、三氯一丁基锡、二氯二丁基锡、一氯三丁基锡、二乙酸二丁基锡、丁基二氯化锡酯、四氯化锡、二丁基丁烯二酸锡和十二酸锡中的至少一种。
优选地,在步骤S2中,所述锑源是选自三氯化锑、氯化亚锑和三溴化锑中的至少一种。
优选地,在步骤S2中,所述氟源是选自三氟乙酸、过氟乙酸、三氟化磷、全氟醋酸、三氟甲苯中的至少一种。
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