[发明专利]一种基板制造方法无效
| 申请号： | 200910105883.1 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101826468A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 傅敬尧 | 申请（专利权）人： | 国碁电子(中山)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H05K3/18;H05K3/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528437 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板制造方法，其特征在于，包括：
于基板表面依设计的电路铺设铜箔；
采用压合制程于所述部分铜箔表面及铜箔周围涂覆干膜，并使部分铜箔裸露；及
于所述裸露的铜箔表面进行电镀以形成电镀层，并控制所述电镀层的表面与所述干膜的表面高度差处于预定的误差范围，以使所述基板表面平整。
2.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，于所述裸露的铜箔表面进行电镀包括镀镍和镀金。
3.如权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述预定的误差范围为10μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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