[发明专利]纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法

权利要求书

1.一种纳米压印抗蚀剂，其特征在于：该纳米压印抗蚀剂包括以下组分：高支化低聚物，全氟基聚乙醚，甲基丙烯酸甲酯以及有机稀释剂。

2.如权利要求1所述的纳米压印抗蚀剂，其特征在于，所述高支化低聚物为经由偏苯三酸酐、乙二醇、环氧丙烯酸共聚而成，或者经由乙二硫醇、环氧丙烯酸开环共聚而成。

3.如权利要求1所述的纳米压印抗蚀剂，其特征在于，所述高支化低聚物的化学结构式为：

4.如权利要求1所述的纳米压印抗蚀剂，其特征在于，所述有机稀释剂包括二羟基乙基二甲基乙烯。

5.如权利要求1所述的纳米压印抗蚀剂，其特征在于，所述高支化低聚物的质量百分比含量为50％～60％，全氟基聚乙醚的质量百分比含量为3％～5％，甲基丙烯酸甲酯的质量百分比含量为5％～10％，有机稀释剂的质量百分比含量为25％～35％。

6.如权利要求5所述的纳米压印抗蚀剂，其特征在于，所述纳米压印抗蚀剂进一步包括质量百分比含量为5％～10％的聚乙烯二甲基硅氧烷。

7.如权利要求5所述的纳米压印抗蚀剂，其特征在于，所述纳米压印抗蚀剂进一步包括质量百分比含量为0.1％～2％的自由基引发剂。

8.如权利要求1所述的纳米压印抗蚀剂，其特征在于，所述纳米压印抗蚀剂的玻璃化转变温度为15摄氏度～45摄氏度。

9.一种采用如权利要求1至8中的任一权利要求所述的纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法，其包括以下步骤：

提供一基底，采用所述纳米压印抗蚀剂在所述基底的一个表面形成一压印抗蚀层；

提供一个表面具有纳米图形的模板，并将该模板表面的纳米图形复制到所述压印抗蚀层，在所述压印抗蚀层形成包括多个凸部及多个凹槽的纳米图形；以及

将所述压印抗蚀层上的纳米图形转移至基底，在所述基底表面形成纳米图形。

10.如权利要求9所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述将模板表面的纳米图形复制到所述压印抗蚀层的方法具体包括以下步骤：

提供一表面具有纳米图形的模板，所述模板的纳米图形包括多个凸部及多个凹槽；以及

将模板形成有纳米图形的表面与所述基底表面的压印抗蚀层贴合，热压所述模板及基底后，脱模。

11.如权利要求13所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述热压所述模板及基底后，脱模的方法包括以下步骤：

设置压印机的真空度为5.0E-03mbar，将基底以及模板加热至所述纳米压印抗蚀剂的玻璃化转变温度以上；

第一次施加压力为12Psi～15Psi，保持5分钟～10分钟，把模板的凸部压到基底上的压印抗蚀层中，使压印抗蚀层的纳米压印抗蚀剂充满模板的纳米图形中的凹槽；以及

第二次施加压力35Psi～60Psi，进行冷却，待温度降到相变点温度附近时，保持5分钟～10分钟，将模板与基底分离，从而将该模板表面的纳米图形复制到所述压印抗蚀层。

12.如权利要求9所述的纳米压印方法，其特征在于，所述提供一基底，采用所述纳米压印抗蚀剂在所述基底的一个表面形成一压印抗蚀层的方法具体包括以下步骤：

在所述基底的一个表面形成一第一牺牲层；

形成一第二牺牲层覆盖所述第一牺牲层；以及

形成一压印抗蚀层覆盖所述第二牺牲层。

13.如权利要求12所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、环氧树脂、不饱和具脂或硅醚树脂。

14.如权利要求12所述的纳米压印的方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料为铝或者铬。

15.如权利要求12所述的纳米压印方法，其特征在于，所述将所述纳米图形转移至基底，在所述基底表面形成纳米图形的方法具体包括以下步骤：

刻蚀残留在所述纳米抗蚀层的凹槽底部的纳米压印抗蚀剂，露出凹槽底部的第二牺牲层；

刻蚀凹槽底部的第二牺牲层，露出第一牺牲层；

刻蚀凹槽底部的第一牺牲层，露出基底；以及

刻蚀凹槽底部的基底，并用有机溶剂去除残留的有机材料，从而获得一具有纳米图形的基底。