[发明专利]薄膜晶体管数组基板有效
申请号: | 200910111141.X | 申请日: | 2009-03-03 |
公开(公告)号: | CN101488505A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 郭哲成;蔡政宏;廖亿丰 | 申请(专利权)人: | 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 数组 | ||
1.一种薄膜晶体管数组基板,其特征在于,包括:
一基板;
多条扫描线,配置于该基板上,由一第一导电层所组成;
多条数据线,配置于该基板上,各该数据线包括多条第一导线与多条第二导线,其中该些第一导线与该些第二导线彼此平行排列且相互串接不共面,各该第二导线跨越各该扫描线,而各该第一导线位于两相邻扫描线之间,该些第一导线与该些第二导线分别由该第一导电层以及一第二导电层所组成,且该第一导电层与该基板之间的距离小于该第二导电层与该基板之间的距离;
多个画素结构,配置于该基板上,各该画素结构包括:
一薄膜晶体管,与对应的该些扫描线以及对应的各该第二导线电性连接;以及
一画素电极,与该薄膜晶体管电性连接,该画素电极的至少部分延伸至相邻的该些第一导线上方;
还包括一第一绝缘层以及一第二绝缘层,其中该第一绝缘层覆盖该第一导电层,且该第二绝缘层覆盖该第二导电层以及该些薄膜晶体管;
其中在该些画素电极与对应的该些第一导线之间具有该第一绝缘层以及该第二绝缘层所构成的叠层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于:更包括一跳线层,且位于该些第一导线上方的该第一绝缘层与该第二绝缘层具有多个第一接触窗,以分别暴露出各该第一导线的两端,而位于该些第二导线上方的该第二绝缘层具有多个第二接触窗,以分别暴露出各该第二导线的两端,该跳线层藉由各该第一接触窗以及各该第二接触窗而电性连接于各该第一导线与各该第二导线之间。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于:其中该些第一导线与该些第二导线在投影面积上不重叠;
其中该跳线层的组成与该些画素电极的组成相同。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于:其中该些第一导线与该些第二导线在投影面积上部分重叠,且位于各该第一导线与各该第二导线重叠区域内的该第一绝缘层具有一开口,各该第二导线藉由该开口与各该第一导线连接。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于:其中各该薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及一汲极,各该闸极与对应的扫描线连接,各该源极与对应的第二导线连接,各该汲极与各该画素电极连接。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于:其中该些闸极是由该第一导电层所组成,该些源极、该些汲极以及该些第二导线是由第二导电层所组成,该些信道层的材质为非晶硅。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于:其中各该薄膜晶体管具有一半导体层,且该半导体层具有一与该第二导线电性连接的源极区以及一与该画素电极电性连接的汲极区。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于:其中该些第一导线
与该些第二导线不共平面,且该些第一导线的宽度等于该些第二导线的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的