[发明专利]一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法无效
| 申请号： | 200910111525.1 | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101760779A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 郑智雄;张伟娜;南毅;马殿军;程香;赵志跃;王致绪;戴文伟 | 申请（专利权）人： | 南安市三晶阳光电力有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/08 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 362000 中国福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 液态 滤网 提纯 多晶 方法 | ||
1.一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法，其步骤为：
步骤1：将4-5N多晶硅重量份为70-85，滤网材料重量份为15-30；放入石英坩埚中；
步骤2：炉内抽真空，充入惰性气体，停扩散泵使炉内保持微正压；
步骤3：开控制电源，加热器开始加热，直至硅和滤网材料的混合物全部熔化，按照 比例不同，熔化温度为1100℃-1400℃，保温至少2h；
步骤4：开启温度控制，使坩埚中的硅以0.2℃-5℃/h逐步冷却结晶；温度冷却至 900℃后快速降温，降温速度为10-20℃/h；
步骤5：硅结晶过程结束后，降温，将硅铸锭取出，切除上表面和四周的滤网材料及 杂质；
其中，所述的滤网材料为熔点低于硅熔点，且密度大于硅密度的金属元素或合金或金 属混合物。
2.如权利要求1所述的一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法，其特征在于：所述的滤网 材料为Ga或Sn或In，或这三种金属的任意组合合金或金属混合物。
3.如权利要求1所述的一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法，其特征在于：所述的滤网 材料中Sn＞90wt％，其它元素＜10wt％。
4.如权利要求3所述的一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法，其特征在于：所述的滤网 材料中的其它元素为Ga或In或Ga-In合金或Ga、In混合物。
5.如权利要求1所述的一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法，其特征在于：步骤3所述 的惰性气体为氩气或氦气。
6.如权利要求1所述的一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法，其特征在于：步骤3所述 的保温时间为2h-3h。
7.如权利要求1所述的一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法，其特征在于：步骤4所述 硅冷却结晶过程中，坩埚内同一水平面各处的温度差保持在0.2℃-0.5℃。
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