[发明专利]真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法

权利要求书

1.真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将多晶硅放入石墨坩埚中，关闭真空室，打开机械旋片泵进行抽真空，开启油扩散泵的电源进行预热，所述多晶硅为块状或粉状多晶硅，所述打开机械旋片泵进行抽真空，开启油扩散泵的电源进行预热，是当真空室内的真空度达到15Pa以下时，开启油扩散泵的电源进行预热；

2)预热完成后关闭粗抽阀，开启扩散泵阀门抽真空，同时接通中频感应加热电源，感应线圈内通以交流电，石墨坩埚开始感应生热，对坩埚内的硅原料进行低温预热，当温度上升到600℃时，由于硅的电阻率急剧下降，导电性增强，硅自身感应生热；

3)增加中频加热功率为50～200kW，当温度达到1415℃以上时，硅开始熔化；

4)待硅完全熔化后，调节中频加热功率，使硅液温度控制在1550～1850℃；

5)待温度稳定后，将真空度控制在1.2×10^-2～1.0×10^-1Pa；

6)开始计时，保温时间为45～120min；

7)在水冷铜盘中通入循环水，然后将熔炼完成的硅液浇注入模具中，进行快速凝固，即完成去除硅中磷杂质。

2.如权利要求1所述的真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，其特征在于在步骤2)中，所述交流电的功率为20～50kW。

3.如权利要求1所述的真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，其特征在于在步骤4)中，所述硅液温度控制在1650～1750℃。

4.如权利要求1所述的真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，其特征在于在步骤5)中，所述真空度控制在1.2×10^-2～6.7×10^-2Pa。

5.如权利要求1所述的真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，其特征在于在步骤6)中，保温时间为60～90min。