[发明专利]一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法有效
| 申请号： | 200910114342.5 | 申请日： | 2009-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101671181A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 彭桂花;梁振华;冯玉芝;卢锋奇;李庆余;王红强 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | C04B35/645 | 分类号： | C04B35/645;C04B35/584 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 苏家达 |
| 地址： | 541004广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硬度 半透明 氮化 陶瓷 低温 烧结 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法，其特征在于包括 以下步骤：
1)以α-Si3N4和MgSiN2为起始原料，两者重量比例为100∶2～1；
2)将上述步骤1)中含有烧结助剂的粉料混合均匀后，装入石墨模具 中，在20～60MPa、1550℃～1600℃、保温时间0.5～2小时、氮气气氛保 护条件下热压烧结，烧结结束后样品随炉冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法， 其特征在于：所述的α-Si3N4粉的α相含量＞90wt％。
3.根据权利要求1或2所述的高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结 方法，其特征在于：所述的MgSiN2粉体纯度＞98wt％。
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