[发明专利]半导体激光器的制造方法无效
| 申请号： | 200910117972.8 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101626142A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 多田仁史;山口勉;川津善平;大仓裕二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;王小衡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制造 方法 | ||
1.一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，具备：
在半导体衬底上依次层叠第一导电型半导体层、活性层、第二导电 型半导体层的工序；
在所述第二导电型半导体层中形成脊部的工序；
在所述第二导电型半导体层上形成第一绝缘膜的工序；
在所述第一绝缘膜上以比所述第一绝缘膜的成膜温度低的成膜温 度形成第二绝缘膜的工序；以及
在所述第二绝缘膜上形成电极的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于， 仅在所述第一绝缘膜上的谐振器中央区域形成所述第二绝缘膜。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器的制造方法，其特征在 于，所述第一绝缘膜的成膜温度为500℃以上，所述第二绝缘膜的成膜 温度为不足500℃。
4.根据权利要求1或2所述的半导体激光器的制造方法，其特征在 于，通过热CVD法形成所述第一绝缘膜。
5.根据权利要求1或2所述的半导体激光器的制造方法，其特征在 于，所述第一绝缘膜的膜厚为100nm以下，所述第二绝缘膜的膜厚为50～ 200nm。
6.根据权利要求1或2所述的半导体激光器的制造方法，其特征在 于，所述第一绝缘膜为SiN膜，所述第二绝缘膜为SiON膜或SiO2膜。
7.一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，具备：
在半导体衬底上依次层叠第一导电型半导体层、活性层、第二导电 型半导体层的工序；
在所述第二导电型半导体层中形成脊部的工序；
在所述第二导电型半导体层上形成绝缘膜的工序；
对谐振器端面附近区域中的所述绝缘膜进行蚀刻，使谐振器端面附 近区域中的所述绝缘膜的膜厚比谐振器中央区域中的所述绝缘膜的膜 厚薄的工序；以及
在所述绝缘膜上形成电极的工序。
8.根据权利要求1、2、7的任一项所述的半导体激光器的制造方法， 其特征在于，使出射端面的所述脊部的宽度比反射端面或谐振器中央的 所述脊部的宽度宽。
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