[发明专利]半导体激光器的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及形成有脊部的半导体层被绝缘膜覆盖的半导体激光器 的制造方法，特别涉及能确保可靠性的高效率的半导体激光器的制造方 法。

背景技术

对于光盘系统中使用的半导体激光器，在高输出化和高性能化之外 还强烈地要求低成本化。为了对应该要求，使用以一次结晶成长就能得 到所希望的特性的以下的半导体激光器的制造方法。首先，在半导体衬 底上，依次层叠第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层。 接着，在第二导电型半导体层中形成脊部。接着，在第二导电型半导体 层上形成绝缘膜，在该绝缘膜上形成电极(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利申请公开2001-160650号公报

本发明要解决的课题

在半导体层中，绝缘膜和电极的热膨胀系数不同。因此，当在半导 体层上形成绝缘膜和电极时，在半导体层中发生应力。特别是，由于在 脊型的半导体激光器中活性层和绝缘膜接近，所以容易受到应力的影 响。因此，变形被施加到活性层而发生光学特性的变化和结晶缺陷，不 能确保可靠性。

此外，在脊型的半导体激光器中，利用脊部和其两侧的折射率差将 光封闭在波导中。因此，在脊部的两侧，活性层和绝缘膜的距离是非常 接近的0.3μm左右。结果，在活性层生成的光泄漏到绝缘膜中，一部分 到达绝缘膜上的电极而被吸收，导致半导体激光器的效率下降。为了防 止这种情况，只要增厚在半导体层和电极间的绝缘膜即可。但是，当增 厚绝缘膜时，由于热膨胀系数的差导致施加到活性层的变形增大。

此外，例如通过等离子体CVD法等对绝缘膜进行成膜，就能够降低 绝缘膜的应力。但是，由于在成膜时等离子体对活性层造成损伤，所以 不能够确保可靠性。

本发明正是为了解决上述课题而完成的，其目的在于获得一种能够 确保可靠性的高效率的半导体激光器的制造方法。

用于解决课题的方法

第一发明是一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，具备：在 半导体衬底上依次层叠第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导 体层的工序；在所述第二导电型半导体层中形成脊部的工序；在所述第 二导电型半导体层上形成第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上以比 所述第一绝缘膜的成膜温度低的成膜温度形成第二绝缘膜的工序；以及 在所述第二绝缘膜上形成电极的工序。

第二发明是一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，具备：在 半导体衬底上依次层叠第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导 体层的工序；在所述第二导电型半导体层中形成脊部的工序；在所述第 二导电型半导体层上形成绝缘膜的工序；对谐振器端面附近区域中的所 述绝缘膜进行蚀刻，使谐振器端面附近区域中的所述绝缘膜的膜厚比谐 振器中央区域中的所述绝缘膜的膜厚薄的工序；以及在所述绝缘膜上形 成电极的工序。

发明的效果

通过本发明，能够制造可确保可靠性的高效率的半导体激光器。

附图说明

图1是用于说明本发明的实施方式1的半导体激光器的制造方法的 剖面图。

图2是用于说明本发明的实施方式1的半导体激光器的制造方法的 剖面图。

图3是用于说明本发明的实施方式1的半导体激光器的制造方法的 剖面图。

图4是用于说明本发明的实施方式1的半导体激光器的制造方法的 剖面图。

图5是表示半导体激光器的比较例的剖面图。

图6是关于半导体激光器的比较例，对相对于绝缘膜的膜厚的劣化 率和效率进行调查的结果。

图7是用于说明本发明的实施方式2的半导体激光器的制造方法的 剖面图。

图8是用于说明本发明的实施方式2的半导体激光器的制造方法的 立体图。

图9是用于说明本发明的实施方式3的半导体激光器的制造方法的 剖面图。

图10是用于说明本发明的实施方式3的半导体激光器的制造方法的 立体图。

图11是用于说明本发明的实施方式4的半导体激光器的制造方法的 俯视图。

图12是图11的A-A’的剖面图。

图13是图11的B-B’的剖面图。

附图标记说明

10    GaAs衬底(半导体衬底)

12    n型包层(第一导电型半导体层)

14    活性层