[发明专利]电光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910118224.1 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101520582A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 茂筑宽士 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/133;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电光装置，至少具备：基板、形成于所述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于所述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于所述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于所述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于所述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，该电光装置的特征在于，
上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；
所述第2遮光膜，形成得比所述第1遮光膜宽；
所述第1层间绝缘膜的膜厚最薄的部分，俯视存在于所述第1遮光膜的端部与所述第2遮光膜的端部之间。
2.一种电光装置，至少具备：基板、形成于所述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于所述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于所述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于所述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于所述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，该电光装置的特征在于，
上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；
所述第2遮光膜，形成得比所述第1遮光膜宽；
所述第1遮光膜的表面与所述第1层间绝缘膜的表面的间隔变得最短的部分，俯视存在于所述第1遮光膜的端部与所述第2遮光膜的端部之间。
3.一种电光装置，至少具备：基板、形成于所述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于所述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于所述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于所述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于所述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，该电光装置的特征在于，
上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；
所述第2遮光膜，形成得比所述第1遮光膜宽；
所述第2层间绝缘膜的表面与所述基板表面的间隔变得最短的部分，俯视存在于所述第1遮光膜的端部与所述第2遮光膜的端部之间。
4.一种电光装置，至少具备：基板、形成于所述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于所述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于所述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于所述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于所述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，该电光装置的特征在于，
上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；
所述第2遮光膜，形成得比所述第1遮光膜宽；
所述第1遮光膜的表面与所述第2层间绝缘膜的表面的间隔变得最短的部分，俯视存在于所述第1遮光膜的端部与所述第2遮光膜的端部之间。
5.按照权利要求1～4中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：
所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜中的至少一方，是通过HDP—CVD法形成的。
6.一种电光装置的制造方法，包括：
在基板上形成具有预定宽度的第1遮光膜的第1工序，
在所述基板上形成第1层间绝缘膜的第2工序，
在所述第1层间绝缘膜上形成晶体管的第3工序，
形成覆盖所述晶体管的第2层间绝缘膜的第4工序，和
在所述第2层间绝缘膜上形成覆盖所述晶体管的第2遮光膜的第5工序，该电光装置的制造方法的特征在于，
在所述第2工序或所述第4工序中，至少一方的所述层间绝缘膜是通过HDP—CVD法形成的。
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