[发明专利]静电保护电路

权利要求书

1.一种静电保护电路，设置于集成电路中，该集成电路具有输入垫与应 用电路，该静电保护电路包括：

静电检测电路，用以检测该输入垫是否有静电发生，以输出检测信号； 以及

保护开关，耦接至该输入垫与该应用电路之间，该保护开关是依据该检 测信号以决定导通与否；

其中，当该静电发生时，该检测信号关闭该保护开关，使得该输入垫与 该应用电路形成断路，以及，当该静电未发生时，该检测信号导通该保护开 关，使得该输入垫与该应用电路形成短路，

该静电检测电路包含：

第一晶体管，具有漏极、源极及栅极，该第一晶体管的该漏极耦接至第 一工作电压，该第一晶体管的该源极耦接至第二工作电压；

二极管，一端耦接至该第一晶体管的该源极，另一端耦接至该第一晶体 管的该漏极；

反相器，具有输入端与输出端，该输出端耦接至该第一晶体管的该栅极；

第二晶体管，具有漏极、源极及栅极，该第二晶体管的该源极耦接至该 第一工作电压，该第二晶体管的该漏极耦接至该反相器的该输入端；

电容，一端耦接至该第二晶体管的该漏极，另一端耦接至该第二工作电 压；以及

电阻，一端耦接至该第二晶体管的该栅极，另一端耦接至该第二工作电 压。

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，该第一晶体管为NMOS 场效应晶体管，而第二晶体管为PMOS场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，该第二晶体管的该漏极 输出该检测信号。

4.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，该保护开关为MOS场效 应晶体管。

5.根据权利要求4所述的静电保护电路，其中，该MOS场效应晶体管 的栅极接收该检测信号，该MOS场效应晶体管的漏极耦接至该输入垫，该 MOS场效应晶体管的源极耦接至该应用电路。

6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其中，该MOS场效应晶体管的 该源极耦接至该应用电路中的一晶体管的栅极。

7.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，该应用电路为模拟电路。

8.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，该应用电路为数字电路。