[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型阱区，以预定深度设置在半导体衬底的表面上；

多个槽区，以比所述第一导电类型阱区的预定深度更小的深度设 置；

栅电极，经由栅绝缘膜设置在所述多个槽区的每个的侧表面上， 并且使其与所述栅绝缘膜接触；

第二导电类型漏区，设置在所述多个槽区的每个的底部的部分；

第二导电类型源区，设置在所述多个槽区之间形成的区中，并且 沿所述栅绝缘膜设置在所述半导体衬底的表面上；以及

第一导电类型高浓度区，设置在所述多个槽区之间形成的区中， 并且设置在所述半导体衬底的表面上，以便使其与所述第二导电类型 源区接触，

其中，在形成所述栅电极和所述栅绝缘膜之后，通过将第二导电 类型高杂质离子注入到不包括其中形成所述第一导电类型高浓度区 的区在内的区，相对所述多个槽区以自对准方式设置所述第二导电类 型漏区和所述第二导电类型源区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：在所述半导体衬 底与所述第一导电类型阱区之间形成以围绕所述第二导电类型漏区 的第二导电类型低浓度扩散区。

3.一种半导体器件，包括：

第一导电类型阱区，以预定深度设置在半导体衬底的表面上；

多个槽区，以比所述第一导电类型阱区的预定深度更深的深度设 置；

栅电极，经由栅绝缘膜设置在所述多个槽区的每个的侧表面上， 并且使其与所述栅绝缘膜接触；

第二导电类型漏区，设置在所述多个槽区的每个的底部中；

第二导电类型源区，设置在所述多个槽区之间形成的区中，并且 沿所述栅绝缘膜设置在所述半导体衬底的表面上；

第一导电类型高浓度区，设置在所述多个槽区之间形成的区中， 并且设置在所述半导体衬底的表面上，以便使其与所述第二导电类型 源区接触；以及

第二导电类型低浓度扩散区，形成在所述半导体衬底中，所述第 二导电类型低浓度扩散区具有比所述多个槽区深度浅的顶表面，并且 具有比所述多个槽区深度深的底表面，

其中，在形成所述栅电极和所述栅绝缘膜之后，通过将第二导电 类型高杂质离子注入到不包括其中形成所述第一导电类型高浓度区 的区在内的区，相对所述多个槽区以自对准方式设置所述第二导电类 型漏区和所述第二导电类型源区。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二导电类型低 浓度扩散区围绕所述第二导电类型漏区。

5.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成第一导电类型阱区；

以比所述第一导电类型阱区的深度更小的深度来形成多个槽区；

形成栅绝缘膜；

形成栅电极膜；

通过各向异性蚀刻去除所述多个槽区的每个的底部上形成的栅 绝缘膜和栅电极膜以及所述多个槽区其中两个之间的半导体衬底表 面上形成的栅电极膜和栅绝缘膜的一部分；

通过将第二导电类型杂质离子注入到不包括其中形成第一导电 类型高浓度区的区在内的区，以自对准方式形成第二导电类型漏区和 第二导电类型源区；

通过离子注入第一导电类型杂质来形成所述第一导电类型高浓 度区；

形成层间绝缘膜；

通过蚀刻去除在所述栅电极膜上形成的层间绝缘膜的一部分、在 所述多个槽区的每个的底部上形成的层间绝缘膜的一部分以及在所 述多个槽区中两个之间的半导体衬底表面上形成的层间绝缘膜的一 部分；

形成金属膜；以及

蚀刻所述金属膜的一部分。

6.如权利要求5所述的制造半导体器件的方法，还包括：在所 述半导体衬底上形成所述第一导电类型阱区之前，在其上形成晶体管 的区的整个表面上形成第二导电类型低浓度扩散区。

7.如权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中，在其上 形成所述晶体管的区的整个表面上形成所述第二导电类型低浓度扩 散区的步骤包括外延生长。