[发明专利]半导体激光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910118503.8 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101515703A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 八木哲哉 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光器件，其特征在于，
在半导体激光器的切开面上形成由锂膜或铍膜构成的悬空键终结膜，
在所述悬空键终结膜上形成镀膜。
2.如权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，所述悬空键终结膜的膜厚为1nm～20nm。
3.如权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，所述切开面为光出射端面。
4.如权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，所述切开面为光出射端面和光反射端面。
5.一种半导体激光器件，其特征在于，
半导体激光器的切开面用氢终结，
在所述切开面上形成镀膜。
6.一种半导体激光器件的制造方法，其特征在于包括：
将半导体激光器切开而露出切开面的工序；
在所述切开面上通过溅射而形成由锂膜或铍膜构成的悬空键终结膜的工序；以及
所述悬空键终结膜上形成镀膜的工序。
7.一种半导体激光器件的制造方法，其特征在于包括：
将半导体激光器切开而露出切开面的工序；
在溅射装置内进行氢等离子体处理而将所述切开面氢终结的工序；以及
所述氢终结工序后在所述氢终结的所述切开面上形成镀膜的工序。
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