[发明专利]半导体激光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及抑制端面劣化的半导体激光器件及其制造方法。

背景技术

在通过晶片制造工艺形成活性层、包层等后，半导体激光器在预定位置被切开。该切开的目的是为了形成一个个的半导体激光器件。通过切开使半导体激光器的光出射端面、光反射端面露出于表面。

切开后，在光出射端面、光反射端面上形成自氧化膜。该自氧化膜通过进行氩等惰性气体的等离子体处理来去除。在经上述等离子体处理而净化的光出射端面、光反射端面上形成由氧化铝(Al₂O₃)等构成的镀膜。镀膜在光出射端面提供保护并在光反射端面提高其反射率。

在半导体激光器的特性改善方面，经常作为问题被提出的现象包括COD(Catastrophic Optical Damage)。所谓COD就是因半导体激光器的光输出功率而导致的瞬时光学损伤。为了防止以COD为原因的半导体激光器件端面高温化而造成的随时间而劣化，提出了镀膜或在半导体激光器与镀膜的界面进行加工的方案(例如参照专利文献1～4)。例如，专利文献1提出了：在高真空装置内，对谐振器端面照射氢原子团射束的方法。

[专利文献1]特开平7-283483号公报

[专利文献2]特表2005-531154号公报

[专利文献3]特开2002-335053号公报

[专利文献4]特开2000-332340号公报

据认为，半导体激光器(也称为谐振器)与镀膜之间的界面的界面能级是前述的COD的成因之一。即，起因于前述的界面能级而发生光吸收，该光吸收引起光出射端面或光反射端面上的COD。该界面能级被认为是由于半导体激光器的光出射端面、光反射端面上存在悬空键造成的。

但是，仅通过在切开后一般进行的、用惰性气体的等离子体处理除去光出射端面等上形成的自氧化膜的工序，不能充分终结悬空键。而且，若在悬空键不被充分终结的状态下在光出射端面、光反射端面上形成镀膜，则界面能级的抑制就会不充分，结果存在不能抑制COD的问题。另外，如专利文献1所公开的那样，在高真空装置内进行照射氢原子团射束的处理时，存在装置的抽真空需要耗费时间等工业上的问题。

发明内容

本发明为解决如上所述的课题构思而成，其目的在于用简单的方法降低半导体激光器(谐振器)与镀膜之间的界面的界面能级，以抑制COD。

本发明的半导体激光器件的特征在于，在半导体激光器的切开面上形成由锂膜或铍膜构成的悬空键终结膜，并在上述悬空键终结膜上形成镀膜。

本发明的半导体激光器件的特征在于，将半导体激光器的切开面用氢终结，并在上述切开面上形成镀膜。

本发明的半导体激光器件的制造方法的特征在于包括：将半导体激光器切开而露出切开面的工序；在上述切开面上通过溅射而形成由锂膜或铍膜构成的悬空键终结膜的工序；以及在上述悬空键终结膜上形成镀膜的工序。

本发明的半导体激光器件的制造方法的特征在于，包括：将半导体激光器切开而使切开面露出的工序；在溅射装置内进行氢等离子体处理并将上述切开面用氢终结的工序；以及在上述氢终结工序后在上述用氢终结的上述切开面上形成镀膜的工序。

采用本发明，可抑制半导体激光器件的COD等的端面劣化。

附图说明

图1是表示实施例1的半导体激光器件的结构的剖面图。

图2是说明实施例1的半导体激光器件的制造方法的流程图。

图3是说明在光反射端面形成锂膜的半导体激光器件的图。

图4是说明在光出射端面设置氢终结部的半导体激光器件的图。

[标记说明]

11    半导体激光器

22    光出射端面

24    光反射端面

26    锂膜

28    低反射膜

30    高反射膜

具体实施方式

实施例1

参照图1，说明本实施例的半导体激光器件的结构。本实施例的半导体激光器件由半导体激光器11及后述的锂膜、镀膜构成。

半导体激光器11构成本实施例的半导体激光器件的谐振器部分。半导体激光器11设有衬底10。形成与衬底10相接的第1包层12。形成与第1包层12相接的活性层14。活性层14中载流子复合而发光。进而，形成与活性层14相接的第2包层16。然后，在半导体激光器11的表面上，配置与第2包层16相接的电极18。另一方面，在半导体激光器11的背面，配置与衬底10相接的电极20。