[发明专利]无核心封装基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910118552.1 申请日: 2009-03-04
公开(公告)号: CN101826469A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 王建皓;李明锦 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/488
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 核心 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种无核心封装基板的制造方法,包括:

(a)提供载板及第一导电层,该载板具有第一表面及第二表面,该第一导电层位于该载板的第一表面;

(b)形成第一内埋线路于该第一导电层上;

(c)形成第一介电层,以覆盖该第一内埋线路;

(d)移除该载板;

(e)移除部分该第一导电层,以形成至少一第一焊垫;及

(f)形成第一防焊层,以覆盖该第一内埋线路及该第一介电层,并显露该至少一第一焊垫。

2.如权利要求1的方法,其中该步骤(b)包括:

(b1)形成第一干膜于该第一导电层上;

(b2)移除部分该第一干膜,以形成第一图案,而显露部分该第一导电层;

(b3)电镀第一导电材料于该第一图案,以形成该第一内埋线路;及

(b4)移除该第一干膜。

3.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)包括:

(e1)形成第二干膜于该第一导电层上;

(e2)移除部分该第二干膜,以形成第二图案,而显露部分该第一导电层;

(e3)蚀刻显露的部分该第一导电层;及

(e4)移除该第二干膜,以形成该第一焊垫。

4.如权利要求1的方法,其中该步骤(c)之后还包括:

(c1)形成第二导电层于该第一介电层上;

(c2)在该第一介电层形成至少一第一开孔,该第一开孔贯穿该第二导电层,且显露部分该第一内埋线路;及

(c3)形成第二导电材料于该第一开孔内,以形成至少一第一导通孔。

5.如权利要求4的方法,其中该步骤(c3)中,该第二导电材料还在该第一介电层的表面上形成第二内埋线路,该步骤(c3)之后还包括形成至少一积层线路的步骤,其中该积层线路包括积层介电层、积层内埋线路及至少一积层导通孔。

6.如权利要求5的方法,其中该步骤(c3)包括:

(c31)形成第三干膜于该第二导电层上;

(c32)移除部分该第三干膜,以形成第三图案,而显露部分该第二导电层及该第一开孔;

(c33)形成该第二导电材料于该第二导电层上及该第一开孔内,以形成该至少一第一导通孔;

(c34)移除该第三干膜,显露部分该第二导电层;及

(c35)蚀刻显露的部分该第二导电层,以形成该第二内埋线路,该第二内埋线路通过该第一导通孔电性连接至该第一内埋线路。

7.如权利要求5的方法,其中该步骤(c3)之后包括:

(c4)形成第二介电层,以覆盖该第二内埋线路;

(c5)形成第三导电层于该第二介电层上;

(c6)于该第二介电层形成至少一第二开孔,该第二开孔贯穿该第三导电层,且显露部分该第二内埋线路;及

(c7)形成第三导电材料于该第二开孔内,以形成至少一第二导通孔。

8.一种无核心封装基板,包括:

第一介电层,具有第一表面及第二表面;

第一内埋线路,位于该第一介电层内,且显露于该第一表面;

至少一第一焊垫,位于该第一介电层的第一表面上,且电性连接该第一内埋线路;及

第一防焊层,覆盖该第一介电层的第一表面及该第一内埋线路,且显露该至少一第一焊垫。

9.如权利要求8的基板,还包括:

至少一第二焊垫,位于该第一介电层的第二表面上,且通过该第一导通孔电性连接至该第一内埋线路;

至少一第一导通孔,位于该第一介电层内,且电性连接该第二焊垫及该第一内埋线路;及

第二防焊层,覆盖该第一介电层的第二表面,且显露该至少一第二焊垫。

10.一种无核心封装基板,包括:

第一介电层,具有第一表面及第二表面;

第一内埋线路,位于该第一介电层内,且显露于该第一表面;

至少一第一焊垫,位于该第一介电层的第一表面及该第一内埋线路上,且电性连接该第一内埋线路;

第一防焊层,位于该第一介电层的第一表面及该第一内埋线路上,且显露该至少一第一焊垫;

至少一第一导通孔,电性连接该第一内埋线路;

至少一积层线路,位于该第一介电层的第二表面下方,该积层线路包括:

积层介电层,具有第一表面及第二表面;

积层内埋线路,位于该积层介电层内,且显露于该第一表面;及

至少一积层导通孔,位于该积层介电层内,且电性连接该积层内埋线路至该第一内埋线路;

至少一下焊垫,位于该积层线路的表面,且电性连接该积层线路的积层导通孔;及

下防焊层,位于该积层线路的表面,且显露该下焊垫。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910118552.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top