[发明专利]无核心封装基板及其制造方法有效
申请号: | 200910118552.1 | 申请日: | 2009-03-04 |
公开(公告)号: | CN101826469A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 王建皓;李明锦 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 核心 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种无核心封装基板的制造方法,包括:
(a)提供载板及第一导电层,该载板具有第一表面及第二表面,该第一导电层位于该载板的第一表面;
(b)形成第一内埋线路于该第一导电层上;
(c)形成第一介电层,以覆盖该第一内埋线路;
(d)移除该载板;
(e)移除部分该第一导电层,以形成至少一第一焊垫;及
(f)形成第一防焊层,以覆盖该第一内埋线路及该第一介电层,并显露该至少一第一焊垫。
2.如权利要求1的方法,其中该步骤(b)包括:
(b1)形成第一干膜于该第一导电层上;
(b2)移除部分该第一干膜,以形成第一图案,而显露部分该第一导电层;
(b3)电镀第一导电材料于该第一图案,以形成该第一内埋线路;及
(b4)移除该第一干膜。
3.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)包括:
(e1)形成第二干膜于该第一导电层上;
(e2)移除部分该第二干膜,以形成第二图案,而显露部分该第一导电层;
(e3)蚀刻显露的部分该第一导电层;及
(e4)移除该第二干膜,以形成该第一焊垫。
4.如权利要求1的方法,其中该步骤(c)之后还包括:
(c1)形成第二导电层于该第一介电层上;
(c2)在该第一介电层形成至少一第一开孔,该第一开孔贯穿该第二导电层,且显露部分该第一内埋线路;及
(c3)形成第二导电材料于该第一开孔内,以形成至少一第一导通孔。
5.如权利要求4的方法,其中该步骤(c3)中,该第二导电材料还在该第一介电层的表面上形成第二内埋线路,该步骤(c3)之后还包括形成至少一积层线路的步骤,其中该积层线路包括积层介电层、积层内埋线路及至少一积层导通孔。
6.如权利要求5的方法,其中该步骤(c3)包括:
(c31)形成第三干膜于该第二导电层上;
(c32)移除部分该第三干膜,以形成第三图案,而显露部分该第二导电层及该第一开孔;
(c33)形成该第二导电材料于该第二导电层上及该第一开孔内,以形成该至少一第一导通孔;
(c34)移除该第三干膜,显露部分该第二导电层;及
(c35)蚀刻显露的部分该第二导电层,以形成该第二内埋线路,该第二内埋线路通过该第一导通孔电性连接至该第一内埋线路。
7.如权利要求5的方法,其中该步骤(c3)之后包括:
(c4)形成第二介电层,以覆盖该第二内埋线路;
(c5)形成第三导电层于该第二介电层上;
(c6)于该第二介电层形成至少一第二开孔,该第二开孔贯穿该第三导电层,且显露部分该第二内埋线路;及
(c7)形成第三导电材料于该第二开孔内,以形成至少一第二导通孔。
8.一种无核心封装基板,包括:
第一介电层,具有第一表面及第二表面;
第一内埋线路,位于该第一介电层内,且显露于该第一表面;
至少一第一焊垫,位于该第一介电层的第一表面上,且电性连接该第一内埋线路;及
第一防焊层,覆盖该第一介电层的第一表面及该第一内埋线路,且显露该至少一第一焊垫。
9.如权利要求8的基板,还包括:
至少一第二焊垫,位于该第一介电层的第二表面上,且通过该第一导通孔电性连接至该第一内埋线路;
至少一第一导通孔,位于该第一介电层内,且电性连接该第二焊垫及该第一内埋线路;及
第二防焊层,覆盖该第一介电层的第二表面,且显露该至少一第二焊垫。
10.一种无核心封装基板,包括:
第一介电层,具有第一表面及第二表面;
第一内埋线路,位于该第一介电层内,且显露于该第一表面;
至少一第一焊垫,位于该第一介电层的第一表面及该第一内埋线路上,且电性连接该第一内埋线路;
第一防焊层,位于该第一介电层的第一表面及该第一内埋线路上,且显露该至少一第一焊垫;
至少一第一导通孔,电性连接该第一内埋线路;
至少一积层线路,位于该第一介电层的第二表面下方,该积层线路包括:
积层介电层,具有第一表面及第二表面;
积层内埋线路,位于该积层介电层内,且显露于该第一表面;及
至少一积层导通孔,位于该积层介电层内,且电性连接该积层内埋线路至该第一内埋线路;
至少一下焊垫,位于该积层线路的表面,且电性连接该积层线路的积层导通孔;及
下防焊层,位于该积层线路的表面,且显露该下焊垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造