[发明专利]无核心封装基板及其制造方法有效
申请号: | 200910118552.1 | 申请日: | 2009-03-04 |
公开(公告)号: | CN101826469A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 王建皓;李明锦 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 核心 封装 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种封装基板及其制造方法,特别是涉及一种无核心封装基板及其制造方法。
背景技术
参考图1及图2,显示已知封装基板的制造方法。首先,提供核心基板11,该核心基板11包括芯层111、第一线路层112、第二线路层113及至少一穿导孔114。该芯层111包括第一表面1111及第二表面1112。该第一线路层112位于该芯层111的第一表面1111。该第二线路层113位于该芯层111的第二表面1112。该穿导孔114贯穿该芯层111,且电性导通该第一线路层112及该第二线路层113。
接着,分别形成第一介电层12及第二介电层13于该第一线路层112及该第二线路层113上,其中该第一介电层12具有至少一第一开口121以显露该第一线路层112,该第二介电层13具有至少一第二开口131以显露该第二线路层113。接着,形成第一导电金属14于该第一介电层12及显露的第一线路层112上,并形成第二导电金属15于该第二介电层13及显露的第二线路层113上。最后,进行图案化及电镀工艺,以在该第一导电金属14上形成第三线路层16及至少一第一导电孔17,且在该第二导电金属15上形成第四线路层18及至少一第二导电孔19,以制得已知封装基板1。
该已知封装基板1的制造方法的缺点如下。该制造方法由该核心基板11开始,其具有一定厚度,故所得的已知封装基板1布线密度低。此外,该核心基板11经过钻孔、镀金属、塞孔、线路成型等工艺完成内层结构,使该工艺步骤繁复,且制作成本昂贵。
因此,有必要提供一种无核心封装基板及其制造方法,以解决上述问题。
发明内容
本发明提供一种无核心封装基板。该基板包括第一介电层、第一内埋线路、至少一第一焊垫及第一防焊层。该第一介电层,具有第一表面及第二表面。该第一内埋线路,位于该第一介电层内,且显露于该第一表面。该第一焊垫,位于该第一介电层的第一表面上,且电性连接该第一内埋线路。该第一防焊层,覆盖该第一介电层的第一表面及该第一内埋线路,且显露该至少一第一焊垫。
本发明另提供一种无核心封装基板。该基板包括第一介电层、第一内埋线路、至少一第一焊垫、第一防焊层、至少一第一导通孔、至少一积层线路、至少一下焊垫及下防焊层。该第一介电层具有第一表面及第二表面。该第一内埋线路位于该第一介电层内,且显露于该第一表面。该第一焊垫位于该第一介电层的第一表面及该第一内埋线路上,且电性连接该第一内埋线路。该第一防焊层位于该第一介电层的第一表面及该第一内埋线路上,且显露该至少一第一焊垫。该第一导通孔电性连接该第一内埋线路。该积层线路位于该第一介电层的第二表面下方,其包括积层介电层、积层内埋线路及至少一积层导通孔。该积层介电层具有第一表面及第二表面。该积层内埋线路位于该积层介电层内,且显露于该第一表面。该积层导通孔位于该积层介电层内,且电性连接该积层内埋线路至该第一内埋线路。该下焊垫位于该积层线路的表面,且电性连接该积层线路的积层导通孔。该下防焊层位于该积层线路的表面,且显露该下焊垫。
由此,本发明的无核心封装基板可提高线路布线密度,减少制作成本,且降低产品厚度。
本发明再提供一种无核心封装基板的制造方法。该制造方法包括以下步骤:(a)提供载板及第一导电层,该载板具有第一表面及第二表面,该第一导电层位于该载板的第一表面;(b)形成第一内埋线路于该第一导电层上;(c)形成第一介电层,以覆盖该第一内埋线路;(d)移除该载板;(e)移除部分该第一导电层,以形成至少一第一焊垫;及(f)形成第一防焊层,以覆盖该第一内埋线路及该第一介电层,并显露该至少一第一焊垫。
附图说明
图1及图2显示已知封装基板的制造方法的示意图;
图3至图8显示本发明无核心封装基板的第一实施例的制造方法的示意图;
图9至图15显示本发明无核心封装基板的第二实施例的制造方法的示意图;
图16至图29显示本发明无核心封装基板的第三实施例的制造方法的示意图;及
图30显示本发明无核心封装基板的第四实施例的剖面示意图。附图标记说明
1:已知封装基板
2:本发明无核心封装基板的第一实施例
3:本发明无核心封装基板的第二实施例
4:本发明无核心封装基板的第三实施例
5:本发明无核心封装基板的第四实施例
11:核心基板 12:第一介电层
13:第二介电层 14:第一导电金属
15:第二导电金属 16:第三线路层
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造