[发明专利]高效率发光装置及其制造方法

权利要求书

1.高效率发光装置，包含：

基板；

第一半导体层形成于该基板之上；

有源层形成于该第一半导体层之上；以及

第二半导体层形成于该有源层之上，该第二半导体层包含由第一低区域 与第一高区域组成的第一表面，其中该第一表面远离该有源层，该第一低区 域的表面粗糙度小于该第一高区域的表面粗糙度，且该第一低区域较该第一 高区域接近该有源层。

2.如权利要求1所述的高效率发光装置，还包含第一电极，位于该第一 低区域之上。

3.如权利要求1所述的高效率发光装置，还包含：

第一电流阻挡层，形成于该第一低区域之上；

第一电流扩散层，形成于该第二半导体层与该第一电流阻挡层之上，其 中该第一电流扩散层覆盖该第一表面的至少一部分；以及

第一电极，形成于该第一电流扩散层之上，且位于该第一低区域的上方。

4.如权利要求1所述的高效率发光装置，其中该第一半导体层包含由第 二低区域与第二高区域组成的第二表面，其中该第二表面接近该有源层，该 第二低区域的表面粗糙度小于该第二高区域的表面粗糙度。

5.如权利要求1所述的高效率发光装置，其中该第一高区域与该第一低 区域间的高度差为100纳米～1微米。

6.如权利要求1所述的高效率发光装置，其中该第一高区域包含非平整 表面选自由多个六角孔穴、多个凸部与多个凹部所构成的群组。

7.如权利要求1所述的高效率发光装置，其中该第一低区域的表面包含 平整表面。

8.如权利要求4所述的高效率发光装置，还包含第二电极，位于该第二 低区域之上。

9.如权利要求4所述的高效率发光装置，还包含：

第二电流阻挡层，形成于该第二低区域之上；

第二电流扩散层，形成于该第一半导体层与该第二电流阻挡层之上，其 中该第二电流扩散层覆盖该第二表面的至少一部分；以及

第二电极，形成于该第二电流扩散层之上，且位于该第二低区域的上方。

10.如权利要求3所述的高效率发光装置，其中该第一电流阻挡层的材 料择自由Su8、苯并环丁烯、过氟环丁烷、环氧树脂、丙烯酸树脂、环烯烃 聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺、 氟碳聚合物、硅胶、玻璃、氧化铝、氮化硅、氧化硅、氧化钛与上述材料的 组合所构成的群组。

11.如权利要求3所述的高效率发光装置，其中该第一电流阻挡层的材 料择自介电材料。

12.如权利要求3所述的高效率发光装置，其中该第一电流阻挡层的材 料择自绝缘材料。

13.如权利要求3所述的高效率发光装置，其中该第一电流扩散层的材 料择自由氧化铟锡、氧化铟、氧化锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌、磷化 镓与上述材料的组合所构成的群组。

14.如权利要求1所述的高效率发光装置，其中该第一低区域占该第一 表面表面积的比例低于30％。

15.高效率发光装置的制造方法，包含：

提供基板；

形成第一半导体层于该基板上；

形成有源层于该第一半导体层上；

形成第二半导体层于该有源层上，该第二半导体层包含远离该有源层的 第一表面；以及

形成第一低区域与第一高区域于该第一表面上，其中该第一低区域的表 面粗糙度小于该第一高区域的表面粗糙度，且该第一低区域较该第一高区域 接近该有源层。

16.如权利要求15所述的高效率发光装置的制造方法，在形成该第一低 区域与该第一高区域于该第一表面上之前，还包含粗化该第一表面。