[发明专利]高效率发光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种高效率发光装置。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode；LED)的应用颇为广泛，可应用于例 如光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置以及医疗 装置。

在传统LED中，通常用金属层做为电极，例如为钛/金或铬/金。但是金 属会吸收光线，导致LED的低发光效率。因此，LED包含反射层位于电极 与发光叠层之间，以增进发光效率。然而因为高反射率的金属层与半导体的 发光叠层之间的粘结不易，导致上述的结构具有可靠度与剥离的问题。

发明内容

高效率发光装置包含基板；反射层形成于基板之上；粘结层形成于反射 层之上；第一半导体层形成于粘结层之上；有源层形成于第一半导体层之上； 以及第二半导体层形成于有源层之上。第二半导体层包含第一表面，第一表 面具有第一低区域与第一高区域。高效率发光装置还包含导电结构，导电结 构包含第一电极形成于第一低区域之上，以及第二电极形成于基板之下。

另一实施例中，高效率发光装置还包含第一电流阻挡层形成于第一低区 域之上，以及第一电流扩散层形成于第二半导体层的第一表面与第一电流阻 挡层之上，其中第一电流扩散层覆盖第一高区域。第一电极位于第一电流扩 散层之上且位于第一电流阻挡层的上方。

又一实施例中，第一高区域还包含自第一表面向下延伸的第一多个六角 孔穴，以增进光摘出效率。

另一实施例中，高效率发光装置包含基板；反射层形成于基板之上；粘 结层形成于反射层之上；第一半导体层形成于粘结层之上；有源层形成于第 一半导体层之上；以及第二半导体层形成于有源层之上。第二半导体层包含 第一表面，第一表面包括第一低区域与第一高区域。第一半导体层包含第二 表面，第二表面包括第二低区域与第二高区域。高效率发光装置还包含导电 结构，导电结构包含第一电极形成于第一低区域之上与第二电极形成于第二 低区域之上。

又一实施例中，高效率发光装置还包含第一电流阻挡层形成于第一低区 域，以及第一电流扩散层形成于第二半导体层的第一表面与第一电流阻挡层 之上，其中第一电流扩散层覆盖第一高区域。此外，高效率发光装置还包含 第二电流阻挡成形成于第二低区域之上，以及第二电流扩散层形成于第一半 导体层的第二表面与第二电流阻挡层之上，其中第二电流扩散层覆盖第二高 区域。第一电极位于第一电流扩散层之上，且位于第一电流阻挡层的上方。 第二电极位于第二电流扩散层之上，且位于第二电流阻挡层的上方。

另一实施例中，第一高区域与第二高区域分别包含自第一表面向下延伸 的第一多个六角孔穴与自第二表面向下延伸的第二多个六角孔穴，以增进光 摘出效率。

另一实施例中，制造高效率发光装置的方法包含提供基板；形成反射层 于基板上；形成粘结层于反射层上；形成第一半导体层于粘结层上；形成有 源层于第一半导体层上；形成第二半导体层于有源层上；移除部分的第二半 导体层、有源层与第一半导体层以裸露第一半导体层的第二表面；粗化第二 半导体层的第一表面与第二表面；形成第一低区域于第一表面之上，与第二 低区域于第二表面之上；形成第一电流阻挡层于第一低区域之上，与第二电 流阻挡层于第二低区域之上；形成第一电流扩散层于第二半导体层与第一电 流阻挡层之上，与第二电流扩散层于第一半导体层与第二电流阻挡层之上； 形成第一电极于第一电流扩散层之上；以及形成第二电极于第二电流扩散层 之上。

附图说明

图1A为依据本发明的实施例的剖面图。

图1B为依据本发明的另一实施例的剖面图。

图1C为依据本发明的又一实施例的剖面图。

图2A为依据本发明的另一实施例的剖面图。

图2B为依据本发明的又一实施例的剖面图。

图2C为依据本发明的又一实施例的剖面图。

图3为依据本发明的又一实施例的高效率发光元件的制造方法的制造流 程图。

附图标记说明

基板：10、20

反射层：11、21

粘结层：12、22

第一半导体层：13、23

有源层：14、24

第二半导体层：15、25