[发明专利]用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法有效
| 申请号： | 200910118648.8 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101518887A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 川岛教孔;浅井文辉 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 研磨 半导体 晶片 背面 粘合 以及 使用 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研磨所述半 导体晶片的背面时，将所述粘合片粘合至所述半导体晶片的回 路形成表面，
其中，所述粘合片从所述回路形成表面侧依次包括粘合剂 层、中间层和基材，
其中，所述中间层具有高于55至低于80的JIS-A硬度，和
其中，所述中间层具有400至600μm的厚度，
其中所述中间层包括选自以下组成的组中的至少一种：密 度低于0.89g/cm3的低密度聚乙烯；乙酸乙烯酯含量为30至50重 量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；和丙烯酸烷基酯单元含量为30 至50重量％的乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物，其中所述烷基具有1 至4个碳原子。
2.根据权利要求1所述的粘合片，其中所述粘合剂层包括 丙烯酸类粘合剂。
3.根据权利要求1所述的粘合片，其中所述粘合剂层具有 30至60μm的厚度。
4.根据权利要求1所述的粘合片，其中所述粘合片具有5 至15N/25mm的粘合力。
5.一种用于研磨半导体晶片背面的方法，所述方法包括： 将根据权利要求1所述的粘合片粘合至所述半导体晶片的回路 形成表面，接着研磨所述半导体晶片的背面。
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