[发明专利]用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于研磨在其表面具有凹凸的半导体晶片背面 的粘合片，以及使用该粘合片研磨半导体晶片背面的方法。

背景技术

当研磨在其表面具有凹凸的半导体晶片的背面时，有必要 保护晶片的该表面，以防止该晶片表面上的凹凸受损，或者防 止由于晶片的研磨屑或研磨水导致的晶片表面污染。此外，因 为研磨之后晶片本身薄且脆，以及晶片表面具有凹凸，所以存 在即使通过轻微的外力晶片也易于受损的问题。

为了保护晶片表面和防止研磨半导体晶片背面期间晶片受 损，已知将粘合片粘合至晶片表面的方法。例如， JP-A-2000-17239提出用于研磨半导体晶片背面的粘合膜，其中 将JIS-A硬度为10至55且含有热塑性树脂的中间层设置于基材 层和粘合剂层之间。然而，近年来，已需要具有更薄厚度的半 导体晶片，同时，已要求保持研磨后晶片的背面更好的面内厚 度精度。

发明内容

本发明的目的是提供用于研磨半导体晶片背面的粘合片以 及使用该粘合片研磨半导体晶片背面的方法，当研磨在其表面 上具有凹凸的半导体晶片背面时，所述粘合片能保护晶片表面 上的凹凸，防止研磨屑或研磨水侵入至晶片表面，防止研磨后 晶片受损，并进一步保持晶片背面的面内厚度精度良好。

即，本发明提供用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研 磨半导体晶片的背面时，将其粘合至半导体晶片的回路形成表 面，其中粘合片从回路形成表面侧依次包括粘合剂层、中间层 和基材，中间层具有高于55至低于80的JIS-A硬度，且中间层具 有300至600μm的厚度。

此处使用的中间层的JIS-A硬度为高于55至低于80，优选高 于58至低于80，更优选高于60至低于80，由此，当将根据本发 明的粘合片粘合至半导体晶片的表面时，晶片表面上的突起物 被中间层固定，以致研磨晶片背面时对突起物的损害能得以防 止。此外，即使在研磨背面之后，粘合片也具有高强度，因此 晶片得以坚固保持，对晶片的损害能得到抑制。此外，中间层 起到缓冲层的作用，即使当半导体晶片的表面具有例如200至 300μm的突起物时，中间层也吸收从晶片背面侧研磨时的作用 于晶片表面上的具有突起物之处和无突起物之处的应力，由此 能抑制面内厚度精度的劣化。此外，中间层填充于半导体晶片 表面上的突起物之间而没有空隙，因此能防止晶片的研磨屑或 研磨水在晶片表面和粘合片之间的侵入。关于此点，此处引用 的“JIS-A硬度”是根据本说明书下述“实施例”部分中所述测 量方法定义的。

此外，根据本发明的粘合片的中间层厚度为300至600μm。

当将中间层的厚度调整成300至600μm，优选400至600μm 时，粘合片对于半导体晶片表面上大的突起物的追随性能能够 得到改进。此外，研磨晶片背面期间裂纹或波纹的出现能得到 抑制。此外，将粘合粘合片所需的时间能够降低，由此改进作 业效率。此外，当粘合片从半导体晶片上剥离时，由于粘合片 的弯曲应力，能防止研磨背面之后的薄晶片受损。

此外，鉴于晶片保持性能、从晶片的剥离性和防止晶片表 面受污染等，优选中间层至少含有热塑性树脂。

此外，根据本发明粘合片的中间层含有以下组成的组中的 至少一种：密度低于0.89g/cm³的低密度聚乙烯；乙酸乙烯酯含 量为30至50重量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；和丙烯酸烷基酯 单元含量为30至50重量％的乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物，其中所 述烷基具有1至4个碳原子。

此外，在根据本发明粘合片的粘合剂层中，优选使用丙烯 酸类粘合剂。

当粘合剂层含有丙烯酸类粘合剂时，在粘合片从研磨后的 晶片背面剥离时，可以降低由粘合剂导致的晶片表面污染。

此外，优选根据本发明粘合片的粘合剂层厚度为30至 60μm。

当将粘合剂层的厚度调整成30至60μm，优选33至57μm， 更优选35至55μm时，粘合片对于半导体晶片表面上的突起物的 追随性能能够得到改进。因此，可以防止研磨半导体晶片背面 时产生的研磨屑或研磨水在半导体晶片表面和粘合片之间的侵 入。

此外，优选根据本发明的粘合片具有5至15N/25mm的粘合 力。关于此点，此处引用的“粘合力”是根据本说明书下述“实 施例”部分中所述测量方法限定的。