[发明专利]一次离子束轰击溅射发射极预挂液态金属的方法

权利要求书

1.一次离子束轰击溅射发射极预挂液态金属的方法，其特征在于，将作为发射极针尖的钨丝放置在高真空度的二次离子质谱(SIMS)中，通过一次离子枪在高压电场作用下获得液态金属离子轰击溅射到钨丝表面，彻底去除发射极钨丝表面的氧化层和污染物，同时使发射极表面粘附一层均匀连续的金属镀层。

2.如权利要求1所述的发射极挂金属预处理的方法，其特征在于，将作为发射极针尖的钨丝放置真空度为2×10^-9torr的二次离子质谱(SIMS)中。

3.如权利要求1所述的发射极挂金属预处理的方法，其特征在于，通过一次离子枪在高压电场作用下获得液态金属离子轰击溅射到钨丝表面，彻底去除发射极钨丝表面的氧化层和污染物，有效防止了钨针的二次氧化，同时使发射极表面粘附一层均匀连续的金属镀层。

4.权利要求1所述的发射极挂金属预处理的方法，其特征在于，可通过调整样品台的方向，选择轰击溅射钨针发射极的位置。

5.权利要求1所述的发射极挂金属预处理的方法，其特征在于，一次离子枪所加高压电场为0～25kv。

6.权利要求1所述的发射极挂金属预处理的方法，其特征在于，一次离子束流调整为5～10nA，或更高数值。

7.权利要求1所述的发射极挂金属预处理的方法，其特征在于，发射极表面所粘附的一层均匀连续的金属镀层的厚度为若干原子层厚度。

8.权利要求1所述的发射极挂金属预处理的方法，其特征在于，彻底去除表面氧化层及污染物，同时使发射极表面粘附一层均匀连续的金属镀层的钨丝发射极，可用于大气环境或真空环境进一步制备镓、铋、铟、金、金/硅合金等各种液态金属离子源。