[发明专利]二次电池无效
申请号: | 200910126088.0 | 申请日: | 2009-03-09 |
公开(公告)号: | CN101533928A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 井原将之;山口裕之;洼田忠彦 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01M10/40 | 分类号: | H01M10/40;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/58 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二次 电池 | ||
1.一种二次电池,包括:
正极;
负极;以及
电解液;
其中,所述负极具有负极活性物质层,所述负极活性物质 层含有多个具有硅(Si)的负极活性物质颗粒,
所述负极活性物质层包含覆盖所述负极活性物质颗粒表 面的含氧化物膜以及不与设置在所述负极活性物质层中的间 隙中的电极反应物合金化的金属材料中的至少一种,以及
所述电解液含有溶剂,所述溶剂含有化学式1所示的有机 酸中的至少一种:
化学式1
其中,X 是-(O=)C-(C(R1)2)a-C(=O)-、 -(R2)2C-(C(R1)2)b-C(=O)-、-(O=)2S-(C(R3)2)c-S(=O)2-、 -(R4)2C-(C(R3)2)d-S(=O)2-或-(O=)C-(C(R5)2)e-S(=O)2-,R1~ R5是氢基、烷基、芳基、卤素基团、卤代烷基或卤代芳基,a、 b、c、d和e是0~4的整数。
2.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质颗 粒是选自硅的单质、合金以及化合物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述化学式1中的卤 素基团、卤代烷基或卤代芳基是氟基、氟代烷基或氟代芳基。
4.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述化学式1中的a、 b、c、d和e是0。
5.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述含氧化物膜含有 选自由硅、锗(Ge)和锡(Sn)组成的组中的至少一种的氧 化物。
6.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述含氧化物膜含有 氟阴离子或氟的化合物,以及长周期型周期表中的13族元素、 14族元素和15族元素中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述含氧化物膜是通 过液相沉积法形成的。
8.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述含氧化物膜是通 过液相沉淀法、溶胶凝胶法和浸涂法中的至少一种形成的。
9.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述金属材料被设置 在所述负极活性物质颗粒之间的间隙中。
10.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质颗 粒在所述颗粒中具有多层结构,并且所述金属材料被设置在所 述负极活性物质颗粒中的间隙中。
11.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述金属材料含有铁 (Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、锌(Zn)和铜(Cu)中的至少一 种。
12.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述金属材料是通过 液相沉积法形成的。
13.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述金属材料是通过 电镀法和化学镀法形成的。
14.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述化学式1所示的 有机酸的含量在0.01wt%~3wt%的范围内,包括两个端值。
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