[发明专利]二次电池无效

专利信息
申请号: 200910126088.0 申请日: 2009-03-09
公开(公告)号: CN101533928A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 井原将之;山口裕之;洼田忠彦 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01M10/40 分类号: H01M10/40;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/58
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种二次电池,包括:

正极;

负极;以及

电解液;

其中,所述负极具有负极活性物质层,所述负极活性物质 层含有多个具有硅(Si)的负极活性物质颗粒,

所述负极活性物质层包含覆盖所述负极活性物质颗粒表 面的含氧化物膜以及不与设置在所述负极活性物质层中的间 隙中的电极反应物合金化的金属材料中的至少一种,以及

所述电解液含有溶剂,所述溶剂含有化学式1所示的有机 酸中的至少一种:

化学式1

其中,X    是-(O=)C-(C(R1)2)a-C(=O)-、 -(R2)2C-(C(R1)2)b-C(=O)-、-(O=)2S-(C(R3)2)c-S(=O)2-、 -(R4)2C-(C(R3)2)d-S(=O)2-或-(O=)C-(C(R5)2)e-S(=O)2-,R1~ R5是氢基、烷基、芳基、卤素基团、卤代烷基或卤代芳基,a、 b、c、d和e是0~4的整数。

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质颗 粒是选自硅的单质、合金以及化合物中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述化学式1中的卤 素基团、卤代烷基或卤代芳基是氟基、氟代烷基或氟代芳基。

4.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述化学式1中的a、 b、c、d和e是0。

5.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述含氧化物膜含有 选自由硅、锗(Ge)和锡(Sn)组成的组中的至少一种的氧 化物。

6.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述含氧化物膜含有 氟阴离子或氟的化合物,以及长周期型周期表中的13族元素、 14族元素和15族元素中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述含氧化物膜是通 过液相沉积法形成的。

8.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述含氧化物膜是通 过液相沉淀法、溶胶凝胶法和浸涂法中的至少一种形成的。

9.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述金属材料被设置 在所述负极活性物质颗粒之间的间隙中。

10.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质颗 粒在所述颗粒中具有多层结构,并且所述金属材料被设置在所 述负极活性物质颗粒中的间隙中。

11.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述金属材料含有铁 (Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、锌(Zn)和铜(Cu)中的至少一 种。

12.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述金属材料是通过 液相沉积法形成的。

13.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述金属材料是通过 电镀法和化学镀法形成的。

14.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述化学式1所示的 有机酸的含量在0.01wt%~3wt%的范围内,包括两个端值。

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