[发明专利]有机发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机电激发光元件，包括：

一基板；

一第一导电层，配置于该基板的一表面上；

一氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层，配置于该第一导电层上；

一有机发光结构，设置于该氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层上；以及

一第二导电层，配置于该有机发光结构上。

2.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中，该氟碳高分子为氟化苯环碳氢高分子。

3.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中，该氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层具有如下式(I)的结构；

(-CF₂-C₆X₄-CF₂-)_n    式(I)

其中，X为H或F，n为大于或等于1的整数。

4.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中，该基板为透明基板或不透明基板。

5.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中，该氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层的厚度是介于0.2-20nm。

6.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中，该有机发光结构包括有：

一有机空穴传输层，连接于该氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层上；以及

一有机电子传输层，连接于该第二导电层。

7.如权利要求6所述的有机电激发光元件，其还包括有一有机发光层，配置于该有机空穴传输层与该有机电子传输层之间。

8.如权利要求6所述的有机电激发光元件，其中，该有机空穴传输层为芳香三级胺化合物。

9.如权利要求6所述的有机电激发光元件，其中，该有机电子传输层为金属chelated oxinoid化合物。

10.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中，该第一导电层为功率函数大于4.0eV的金属或功率函数大于4.0eV的金属化合物。

11.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中，该第二导电层为功率函数小于4.0eV的金属。

12.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中该基板为一绝缘透明基板或一绝缘不透明基板。

13.一种有机电激发光元件的制造方法，包括以下步骤：

(a)提供一具有一第一导电层的基板；

(b)提供一前驱物进行等离子体高分子聚合，以形成一氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层于该基板的该第一导电层上；

(c)形成一有机发光结构于该氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层上；以及

(d)形成一第二导电层于该有机发光结构上。

14.如权利要求13所述的有机电激发光元件的制造方法，其中步骤(a)的基板为一绝缘透明基板或一绝缘不透明基板。

15.如权利要求13所述的有机电激发光元件的制造方法，其中步骤(a)的第一导电层为一光透明的导电层或一光不透明的导电层。

16.如权利要求13所述的有机电激发光元件的制造方法，其中步骤(a)的第一导电层为功率函数大于4.0eV的金属或功率函数大于4.0eV的金属化合物。

17.如权利要求13所述的有机电激发光元件的制造方法，其中步骤(b)的氟碳高分子层为氟化苯环碳氢高分子。