[发明专利]有机发光元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910126222.7 申请日: 2009-03-09
公开(公告)号: CN101834276A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 江孟丹;卢炳勋;庄呈祥;曾宗培;王时俊 申请(专利权)人: 元欣科技材料股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C08L57/08;C08J5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 元件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明是关于一种发光元件,尤指一种有机电致发光(organic electroluminescence)元件。

背景技术

已知的有机电激发光元件的结构如图1所示。其包括有一基板101,一阳极102形成于基板101上,一有机发光结构107,其依序包括有一有机空穴传输层103、一有机发光层104及一有机电子传输层105。换言之,有机发光层104配置于有机空穴传输层103与有机电子传输层105,有机发光层104的主要功能为限制或控制电子及空穴有效结合及发光。此外,于有机电子传输层105上配置有一阴极106。

当不同电位差施加于阳极102及阴极106,使得阳极是正电(相对于阴极),阴极将注入电子进入电子传输层105,电子将跨越有机电子传输层105及有机发光层104。同时,空穴将由阳极注入进入有机空穴传输层103,空穴跨越有机空穴传输层103,最后与电子在接近有机空穴传输层103及有机发光层104的界面结合。当位移的电子由其导电带降落至价电带填补其空穴,能量以光的形式,光经由透明阳极及基板的方向朝观测者方向放出。

上述的有机电激发光元件结构,其中个别有机层的功能是明确的,并可个别优化。因此,有机发光结构107可选择具有不同的电激发光颜色,且具有较高的发光效率。同样地,为了载子的传输特性,其电子及有机空穴传输层能被最适化设计。

众所周知,使用低功率函数的阴极及高功率函数的阳极使得有机电致发光元件的操作电压明显下降。传统阳极由导电及透明氧化物所构成,例如氧化铟锡(ITO)已被广泛用于阳极,因其具有透明、良好导电性及高功率函数。

然而,发光结构成长于裸露的ITO表面上,一般呈现较差的电流-电压特性,以及低的操作稳定度。为了减缓及改善此一问题,Vanslyke et.al(APL,VOL69,2160,1996,”Organic electroluminescent devices with improved stability”)提出另一种多层结构的有机发光元件,其结构如图2所示。此种有机电激发光元件中,有机发光结构107中同样包括有有机空穴传输层103、有机发光层104及有机电子传输层105,其功能与上述相同。其特征在于阳极102与有机空穴传输层103之间,另外形成一空穴注入层210,而空穴注入层210的材料为Cupc(copper phthalocyanine)。

然而,当Cupc层加入于阳极102与有机空穴传输层103之间,因为在Cupc与有机空穴传输层103(例如NPB)界面间存在空穴注入的能障,而造成驱动电压呈现相当程度的增加。因此仍需要进一步加强有机电激发光元件中的空穴注入,以及改善发光元件操作的稳定性。

发明内容

本发明的主要目的是在提供一种有机电激发光元件,以便能提升有机电激发光元件的电流密度、增加发光亮度及降低驱动电压,并可增进有机电致发光元件的操作稳定度。

本发明的另一目的是在提供一种有机电激发光元件的制造方法,以便能制造上述的有机电激发光元件。

为达成上述目的,本发明的有机电激发光元件,包括有一基板;一第一导电层,配置于此基板的一表面上;一氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层,其配置于第一导电层上;一有机发光结构,设置于该氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层上;以及一第二导电层,配置于该有机发光结构上。

本发明的有机电激发光元件,其中该氟碳高分子并无特殊限制,较佳可为氟化苯环碳氢高分子。

本发明的有机电激发光元件,其中此氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层,较佳可为具有如下式(I)的结构;

(-CF2-C6X4-CF2-)n    式(I)

其中,X为H或F,n为大于或等于1的整数。

本发明的有机电激发光元件,其中该氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层的厚度较佳为介于0.2-20nm。

本发明的有机电激发光元件,其中该有机发光结构较佳可包括有一有机空穴传输层及一有机电子传输层,其中此有机空穴传输层连接于此氟碳高分子层或氟碳高分子共聚物层,有机电子传输层连接于第二导电层。

如上所述的有机电激发光元件,较佳可还包括有一有机发光层配置于有机空穴传输层与有机电子传输层之间。

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