[发明专利]盖部件、处理气体扩散供给装置及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及盖部件、处理气体扩散供给装置以及基板处理装置，特别是涉及对基板实施等离子体处理的基板处理装置用的盖部件。

背景技术

通常，基板处理装置具备收容作为基板的半导体设备用的晶片(以下简称“晶片”)的处理室，和配置在盖处理室的上部的喷淋头。在这种基板处理装置中，处理气体通过喷淋头的多个气体孔被供给到处理室内的处理空间，在该处理空间利用由处理气体产生的等离子体对晶片实施等离子体处理。

图7是概略地表示现有的基板处理装置具备的喷淋头的构造的截面图。

喷淋头70具有，由导电材料构成的顶部电极板71、悬挂支承该顶部电极板71的电极板支承体72、和设置在该电极板支承体72内的内部空间73。向内部空间73内导入处理气体的气体导入管74的一端与该内部空间73连接。此外，在顶部电极板71上形成有贯通该顶部电极板71并使内部空间73和处理室内(图中未示)连通的多个气体供给孔75、76。在喷淋头70中，从气体导入管74导入到内部空间73的处理气体通过气体孔75、76供给到处理空间。

但是，在喷淋头70中，由于在内部空间73中处理气体从气体导入管74朝向图中下方喷出，所以通过位于气体导入管74的正下方的气体孔75的处理气体的量相对多，通过气体孔76的处理气体的量相对少。在这种情况下，由于无法从各气体孔75、76向处理空间均匀地供给处理气体，所以由处理气体产生的等离子体在晶片上分布不均匀。因此，无法对晶片实施均匀的等离子体处理，结果，难以确保等离子体处理的面内均匀性。

针对与此，例如提案有具备在内部空间配置有缓冲板的喷淋头的基板处理装置(例如参照专利文献1)。在这样的喷淋头中，在内部空间73以与气体导入管74的开口部相对置的方式配置缓冲板77(参照图8。)，该缓冲板77防止从气体导入管74喷出的处理气体原封不动地向气体孔75流动，并且使该处理气体在内部空间73向图中横方向扩散。由此，防止通过气体孔75的处理气体的量变得非常多，并能够使处理气体从气体孔75、76向处理空间均匀地供给。

【专利文献1】日本特开平11-054440号公报

但是，存在喷淋头70的厚度(图中上下方向)受到限制，无法充分确保内部空间73的高度的情况。在这种情况下，如果在内部空间73配置上述缓冲板77，则虽然该内部空间73被分割成上部空间和下部空间，但由于任一个空间的高度均变得非常低，所以难以增大与向处理气体的横方向的流动(扩散)相关的流导。结果，由于无法使处理气体在内部空间73沿横方向充分扩散，所以不能向处理空间均匀地供给处理气体，依然难以确保晶片中的等离子体处理的面内均匀性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够确保基板中的等离子体处理的面内均匀性的盖部件、处理气体扩散供给装置以及基板处理装置。

为了达到上述目的，第一方面记载的基板处理装置中的盖部件，在该基板处理装置中包括：收容基板的处理室；向该处理室内扩散供给处理气体的处理气体扩散供给装置；和用于将上述处理气体导入到上述处理气体扩散供给装置的至少一个处理气体导入管，上述处理气体扩散供给装置具有：形成于其内部且与收容在上述处理室内的基板的表面平行地扩展的内部空间，和使该内部空间与上述处理室内连通的多个气体孔，上述处理气体导入管经开口部与上述内部空间连接，上述开口部与上述多个气体孔的一部分相对置，上述盖部件覆盖上述开口部，其特征在于：上述盖部件包括：配置在上述内部空间且具有与上述开口部相对置的面的遮蔽部；和将上述遮蔽部支承于规定的位置的支承部。

第二方面记载的盖部件，其特征在于，在第一方面记载的盖部件中，上述遮蔽部的面与收容在处理室内的基板的表面平行。

第三方面记载的盖部件，其特征在于，第一或第二方面记载的盖部件，上述内部空间的与上述处理气体的扩散方向相关的高度为8mm以上。

第四方面记载的盖部件，其特征在于，第一或第二方面记载的盖部件，由以上述遮蔽部为底部且以上述支承部为侧壁的圆筒形状部件构成，上述侧壁具有至少一个以上的贯通孔。