[发明专利]光波导有效
申请号: | 200910126378.5 | 申请日: | 2007-09-25 |
公开(公告)号: | CN101498814A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 邵鸣达;俞国庆;徐琴琴;王文龙;王蔚 | 申请(专利权)人: | 晶方半导体科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | G02B6/10 | 分类号: | G02B6/10;G02B6/12;G02B6/13 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘诚午;李 丽 |
地址: | 215126江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 | ||
1.一种利用半导体集成电路制造工艺制作的晶圆级光波导,包括基底和 位于基底上并在芯层成型过程中限制芯层形状的限制层,所述基底的材料为 半导体材料,所述限制层的材料为硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和硼磷硅 酸盐玻璃中的一种,所述限制层中具有凹槽,凹槽两侧的端面为斜面,至少 在所述斜面表面具有反射镜面层,所述光波导还包括旋涂形成在所述凹槽中 的芯层,在所述芯层的表面旋涂形成有包层,所述包层仅位于芯层的上表面, 所述芯层的下表面为反射镜面层,所述芯层和包层的材料为可旋涂高分子感 光材料。
2.如权利要求1所述的光波导,其特征在于:所述基底和限制层为同一 层。
3.如权利要求1所述的光波导,其特征在于:所述反射镜面层的材料为 金属层。
4.如权利要求1所述的光波导,其特征在于:所述芯层的材料为正性光 致抗蚀剂、负性光致抗蚀剂或其混合物。
5.如权利要求1所述的光波导,其特征在于:所述斜面与所述基底表面 之间的锐角为45度。
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