[发明专利]基板处理装置以及基板旋转装置无效
| 申请号： | 200910126384.0 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101515541A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 田中澄;铃木公贵 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 旋转 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
间隔用于处理基板的处理空间的处理容器；
在所述处理容器内支承所述基板的基板支承体；
直接或间接地连接在所述基板支承体上、由陶瓷材料形成的从动 旋转体；和
在所述处理容器内，经由缓冲部件与所述从动旋转体接触，支撑 所述从动旋转体并且旋转驱动所述从动旋转体的，由陶瓷材料形成的 驱动旋转体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述缓冲部件由弹性体构成。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述缓冲部件是安装在所述驱动旋转体的周面上的O型环。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述缓冲部件是覆盖在所述驱动旋转体的周面上的覆盖层。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述基板处理装置还包括用于加热载置在所述基板支承体上的基 板的加热单元的热处理装置。
6.一种基板旋转装置，其特征在于，包括：
构成为与支承基板的基板支承体直接或者间接地连接，并且，由 陶瓷材料形成的从动旋转体，和
经由缓冲部件，与所述从动旋转体接触、并且旋转驱动所述从动 旋转体的，由陶瓷材料形成的驱动旋转体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
