[发明专利]基板处理装置以及基板旋转装置

说明书

本案是申请号为200580028801.8、发明名称为基板处理装置以及基板旋转装置的 专利申请的分案申请

技术领域

本发明涉及对于半导体晶片等的基板实施热处理等的处理用的基 板处理装置，以及用于在该基板处理装置中使基板旋转的基板旋转装 置。

背景技术

作为在半导体制造装置中有代表性的基板处理装置的一个例子， 在现有技术中，具有利用热辐射灯等的加热单元加热半导体晶片等的 基板、进行退火等的热处理的装置。作为这样的装置的一个例子，在 日本特开2001-57344号公报中公开有在使基板旋转的同时进行处理 的、枚页式(单片式)的热处理装置。为了使基板的加热均匀而使基 板旋转。

在枚页式的热处理装置中，采用着具有从动旋转体和驱动旋转体 的旋转机构，上述从动旋转体直接或间接地连接在载置基板的基板支 承体上，上述驱动旋转体与上述从动旋转体接触而旋转，使得上述从 动旋转体以及与之连接的基板支承体一起旋转。作为构成这样的旋转 机构的从动旋转体以及驱动旋转体的材料，使用碳化硅(SiC)等的陶 瓷材料，使得即使在超过1000℃的情况下，也能够耐得住热处理装置 内的高温。

不仅限于热处理装置，在一般的半导体制造装置中，降低成为半 导体制造装置的产品质量不好的原因的半导体晶片的颗粒污染，成为 重要的课题。通常认为从配置在半导体晶片附近的装置部件以及腔室 内的附着物等产生的颗粒是颗粒污染的主要原因，为了减少这样的颗 粒而采取了各种各样的对策。但是，在具备上述的旋转机构的热处理 装置中，即使采取定期地对腔室内进行清扫等的颗粒对策，仍然会产 生不容忽视的量的颗粒。

发明内容

因此，本发明的目的在于，在具有旋转装置的基板处理装置中， 实现颗粒的减少。

为了实现上述目的，根据本发明的第一观点，提供一种基板处理 装置，其特征在于，包括：间隔用于处理被处理基板的处理空间的处 理容器；在所述处理容器内支承所述被处理基板的基板支承体；直接 或者间接地连接在所述基板支承体上的从动旋转体；和通过与所述从 动旋转体接触并且旋转，使所述从动旋转体旋转，由此使所述基板支 承体旋转的驱动旋转体，其中，所述从动旋转体和所述驱动旋转体， 由JIS R1607标准规定的破坏韧性的值以及/或者JIS R1601标准规定的 三点弯曲强度的值不同的陶瓷材料构成。

在优选的一实施方式中，构成所述驱动旋转体的陶瓷材料，是相 比较构成所述从动旋转体的陶瓷材料而言，JIS R1607标准规定的破坏 韧性的值高的材料。这种情况下，构成所述驱动旋转体的陶瓷材料的 破坏韧性能够是构成所述从动旋转体的陶瓷材料 的破坏韧性能够是

在优选的另一实施方式中，构成所述驱动旋转体的陶瓷材料，是 相比较构成所述从动旋转体的陶瓷材料而言，JIS R1601标准规定的三 点弯曲强度的值高的材料。这种情况下，构成所述驱动旋转体的陶瓷 材料的三点弯曲强度能够是510～570[MPa]，构成所述从动旋转体的陶 瓷材料的三点弯曲强度能够是420～480[MPa]。

在优选的再一其他实施方式中，构成所述驱动旋转体的陶瓷材料， 是相比较构成所述从动旋转体的陶瓷材料而言，JIS R1607标准规定的 破坏韧性的值以及JIS R1601标准规定的三点弯曲强度的值高的材料。

在优选的一实施方式中，与所述从动旋转体接触的所述驱动旋转 体的接触面相对于所述驱动旋转体的旋转轴线倾斜，与所述驱动旋转 体接触的所述从动旋转体的接触面相对于所述从动旋转体的旋转轴线 倾斜。

根据本发明的第二观点，其提供一种基板处理装置，其特征在于， 包括：间隔用于处理被处理基板的处理空间的处理容器；在所述处理 容器内支承所述被处理基板的基板支承体；直接或间接地连接在所述 基板支承体上、由陶瓷材料形成的从动旋转体；和经由缓冲部件，与 所述从动旋转体接触并且旋转驱动所述从动旋转体，由陶瓷材料形成 的驱动旋转体。

优选所述缓冲部件由弹性体构成。能够将由弹性体构成的O型环 安装在上述驱动旋转体的周面上。或者说，能够将由弹性体构成的覆 盖面设置在上述驱动旋转体的周面上。

上述第一以及第二观点的基板处理装置能够是还包括用于加热载 置在所述基板支承体上的基板的加热单元的热处理装置。