[发明专利]发光二极管封装结构及其制作方法无效
申请号: | 200910126510.2 | 申请日: | 2009-03-10 |
公开(公告)号: | CN101834235A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 辛嘉芬 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构的制作方法,包括:
提供一承载器及一发光二极管芯片,该发光二极管芯片配置于该承载器上,且该发光二极管芯片位于一凹穴内;
填入一第一封装胶体于该凹穴内,该第一封装胶体覆盖该发光二极管芯片,且该第一封装胶体内掺有一荧光材料;
进行一第一烘烤步骤,以使该第一封装胶体呈半固化态;以及
填入一第二封装胶体于该芯片容置空间内,且该第二封装胶体覆盖于该第一封装胶体上。
2.如权利要求1所述发光二极管封装结构的制作方法,其中,该承载器包括一电路板或一导线架。
3.如权利要求1所述发光二极管封装结构的制作方法,其中,进行该第一烘烤步骤以使该第一封装胶体呈半固化态的温度介于80℃至90℃之间,且时间介于5分钟至10分钟。
4.如权利要求1所述发光二极管封装结构的制作方法,其中,进行该第一烘烤步骤以使该第一封装胶体呈半固化态的温度介于80℃至100℃之间,且时间介于20分钟至30分钟。
5.如权利要求1所述发光二极管封装结构的制作方法,其中,包括进行一第二烘烤步骤,以固化该第一封装胶体及该第二封装胶体。
6.如权利要求1所述发光二极管封装结构的制作方法,其中,于填入该第一封装胶体于该凹穴内之前,包括形成至少一焊线,该发光二极管芯片通过该焊线与该承载器电性连接。
7.一种发光二极管封装结构,包括:
一承载器,具有一凹穴;
一发光二极管芯片,配置于该承载器上,且容置于该凹穴内;
一第一封装胶体,配置于该凹穴内,且覆盖该发光二极管芯片,其中该第一封装胶体内掺有一荧光材料;以及
一第二封装胶体,配置于该凹穴内,且覆盖于该第一封装胶体上。
8.如权利要求7所述发光二极管封装结构,其中,包括一壳体,配置于该承载器上,且覆盖部份该承载器,其中该壳体与该承载器构成该凹穴。
9.如权利要求7所述发光二极管封装结构,其中,该发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片、红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片或紫外光发光二极管芯片,该荧光材料包括黄色荧光粉、红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉或钇铝石榴石荧光粉。
10.如权利要求7所述发光二极管封装结构,其中,该第一封装胶体的材质包括甲基系硅胶、乙基系硅胶或环苯系硅胶,该第二封装胶体的材质包括甲基系硅胶、乙基系硅胶或环苯系硅胶。
11.如权利要求7所述发光二极管封装结构,其中,包括至少一焊线,该发光二极管芯片通过该焊线与该承载器电性连接。
12.一种发光二极管封装结构,包括:
一承载器,具有一凹穴、一第一引脚及一第二引脚;
一发光二极管芯片,配置于该承载器上,且位于该凹穴内;
一第一封装胶体,配置于该凹穴内,且覆盖该发光二极管芯片,其中该第一封装胶体内掺有一荧光材料;
一第二封装胶体,配置于该凹穴内,且覆盖于该第一封装胶体上;以及
一封装壳体,包覆该承载器,并显露出该第一引脚与该第二引脚。
13.如权利要求12所述发光二极管封装结构,其中,该承载器包括一导线脚架。
14.如权利要求12所述发光二极管封装结构,其中,该第一封装胶体的材质包括甲基系硅胶、乙基系硅胶或环苯系硅胶,该第二封装胶体的材质包括甲基系硅胶、乙基系硅胶或环苯系硅胶。
15.如权利要求12所述发光二极管封装结构,其中,包括至少一焊线,该发光二极管芯片通过该焊线与该承载器电性连接。
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