[发明专利]发光二极管封装结构及其制作方法无效
申请号: | 200910126851.X | 申请日: | 2009-03-20 |
公开(公告)号: | CN101840973A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 赵自皓 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L25/075 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构的制作方法,包括:
提供至少一发光二极管芯片,该发光二极管芯片配置于一承载器上,且该发光二极管芯片具有一出光面与多个连接该出光面的侧表面;
提供一第一遮罩,具有至少一第一开口,该第一开口至少暴露出该发光二极管芯片;
提供一喷涂装置,配置于该第一遮罩的上方,以进行一第一喷涂工艺,该喷涂装置沿着一路径往返喷涂一第一荧光体溶液,使得该发光二极管芯片的该出光面与该些侧表面被该第一荧光体溶液共形地包覆;
进行一固化工艺,使包覆于该发光二极管芯片的表面上的第一荧光体溶液固化成一第一荧光层;以及
形成一封装胶体,包覆该第一荧光层与部分该承载器。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法,其中,沿着该路径往返向该第一遮罩喷涂该第一荧光体溶液的同时,包括对该发光二极管芯片及该承载器进行一第一加热工艺,使该发光二极管芯片上的该第一荧光体溶液中的该胶体溶剂被蒸发。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法,其中,在进行该固化工艺之前,包括:
移除该第一遮罩;
提供一第二遮罩于该发光二极管芯片的上方,该第二遮罩具有至少一小于该第一开口的第二开口,该第二开口对应暴露出该发光二极管芯片的出光面上部分的该第一荧光层;以及
进行一第二喷涂工艺,其中该喷涂装置沿着该路径往返喷涂一第二荧光体溶液于该第二开口所暴露出部分的该第一荧光层上。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制作方法,其中,该第一荧光体溶液及该第二荧光体溶液分别是由一胶体溶剂、一胶体与一荧光粉所组成。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制作方法,其中,该胶体溶剂包括二甲苯、正庚烷或丙酮,该胶体包括硅胶或环氧树脂。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制作方法,其中,在该第一荧光体溶液中,该胶体溶剂、该胶体与该荧光粉的比例约为50%、20%与30%。
7.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制作方法,其中,进行该第二喷涂工艺的同时,包括进行一第二加热工艺,以蒸发喷涂在该发光二极管芯片上的该第二荧光体溶液中的该胶体溶剂。
8.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制作方法,其中,该喷涂装置包括一喷嘴,该喷嘴以雾化的方式将该第一荧光体溶液与该第二荧光体溶液分别喷涂于该发光二极管芯片上。
9.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制作方法,其中,在进行该固化工艺的同时,包括将位在该发光二极管芯片上的该第二荧光体溶液固化成一第二荧光层。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法,其中,于提供该第一遮罩于该发光二极管芯片的上方之前,包括形成至少一导线,该发光二极管芯片通过该导线与该承载器电性连接。
11.一种发光二极管封装结构,包括:
一发光二极管芯片,配置于一承载器上,该发光二极管芯片具有一出光面与多个连接该出光面的侧表面;
一第一荧光层,共形地包覆该发光二极管芯片的该出光面与该些侧表面;
一第二荧光层,配置在该发光二极管芯片的该出光面上的部分该第一荧光层上,以及
一封装胶体,包覆该第一荧光层、该第二荧光层与部分该承载器。
12.如权利要求11所述的发光二极管封装结构,其中,该第一荧光层及该第二荧光层分别包括一胶体与一荧光粉。
13.如权利要求12所述的发光二极管封装结构,其中,该胶体包括硅胶或环氧树脂。
14.如权利要求11所述的发光二极管封装结构,其中,该第二荧光层于该第一荧光层上具有实质上相同的厚度。
15.如权利要求11所述的发光二极管封装结构,其中,该第二荧光层的厚度小于或大于该第一荧光层的厚度。
16.如权利要求11所述的发光二极管封装结构,其中,包括至少一导线,该发光二极管芯片通过该导线与该承载器电性连接。
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