[发明专利]显示器驱动电路及调整显示器输出亮度的方法无效
申请号: | 200910127015.3 | 申请日: | 2009-03-10 |
公开(公告)号: | CN101833912A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 周彦云 | 申请(专利权)人: | 普诚科技股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/28 | 分类号: | G09G3/28;G09G5/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 驱动 电路 调整 输出 亮度 方法 | ||
1.一种显示器驱动电路,其特征在于,用以驱动一显示器的至少一像素,该显示器驱动电路包括:
一输出级,耦接至该像素,并受一像素信号控制以使该像素上的一输出电压切换于一低电平及一高电平之间;
一调校装置,耦接于该输出级与该像素之间,包括一输入端用以接受一偏压的控制而调整该调校装置的等效电阻值以校准该像素的显示亮度;以及
一突波抑制装置,耦接于该调校装置的该输入端与该像素信号之间,用以抑制该偏压因该输出电压的电压电平切换所产生的突波。
2.根据权利要求1所述的显示器驱动电路,其特征在于,该突波抑制装置包括一电压下拉装置,用以当该输出电压由该低电平切换至该高电平时将该偏压的电压拉低。
3.根据权利要求2所述的显示器驱动电路,其特征在于,该电压下拉装置包括一第一晶体管,该第一晶体管包括:
一第一栅极,耦接至该像素信号;
一第一漏极,耦接至该调校装置的该输入端;以及
一第一源极,耦接至一低压点。
4.根据权利要求3所述的显示器驱动电路,其特征在于,该电压下拉装置还包括一第一脉波产生器,耦接于该像素信号与该第一栅极之间,用以产生一第一脉波。
5.根据权利要求1所述的显示器驱动电路,其特征在于,该突波抑制装置还包括一电压上拉装置,用以当该输出电压由该高电平切换至该低电平时将该偏压的电压拉高。
6.根据权利要求5所述的显示器驱动电路,其特征在于,该电压上拉装置为一第二晶体管,该第二晶体管包括:
一第二栅极,耦接至该像素信号;
一第二漏极,耦接至该调校装置的该输入端;以及
一第二源极,耦接至一高压点。
7.根据权利要求6所述的显示器驱动电路,其特征在于,该电压上拉装置还包括一第二脉波产生器,耦接于该像素信号与该第二栅极之间,用以产生一第二脉波。
8.根据权利要求1所述的显示器驱动电路,其特征在于,该突波抑制装置包括一偏压传输装置,耦接于一偏压源与该调校装置的该输入端之间,用以将该偏压源提供的该偏压传输至该调校装置的该输入端。
9.根据权利要求8所述的显示器驱动电路,其特征在于,该偏压传输装置包括:
一第三晶体管,该第三晶体管还包括:
一第三栅极,耦接至该像素信号;
一第三源极,耦接至该偏压源;以及
一第三漏极,耦接至该调校装置的该输入端;以及
一第四晶体管,该第四晶体管还包括:
一第四栅极,耦接至该像素信号;
一第四源极,耦接至该调校装置的该输入端;以及
一第四漏极,耦接至该偏压源。
10.根据权利要求3所述的显示器驱动电路,其特征在于,该第一晶体管为一n型金属氧化物半导体场效应晶体管。
11.根据权利要求6所述的显示器驱动电路,其特征在于,该第二晶体管为一p型金属氧化物半导体场效应晶体管。
12.根据权利要求1所述的显示器驱动电路,其特征在于,该显示器为一碳纳米管显示器。
13.根据权利要求9所述的显示器驱动电路,其特征在于,该第三晶体管为一n型金属氧化物半导体场效应晶体管,而该第四晶体管为一p型金属氧化物半导体场效应晶体管。
14.一种调整显示器输出亮度的方法,其特征在于,包括:
配置一驱动电路,该驱动电路包括至少一输出级,其中该输出级耦接至一显示器的一像素,而该输出级接受一像素信号控制以使该像素上的一输出电压切换于一低电平与一高电平之间;
配置一调校装置于该输出级与该像素之间;
施加一偏压于该调校装置以调整该调校装置的等效电阻值而校准该像素的显示亮度;以及
抑制该偏压因该输出电压的电压电平切换所产生的突波。
15.根据权利要求14所述的调整显示器输出亮度的方法,其特征在于,还包括当该输出电压由该低电平切换至该高电平时将该偏压的电压拉低。
16.根据权利要求14所述的调整显示器输出亮度的方法,其特征在于,还包括当该输出电压由该高电平切换至该低电平时将该偏压的电压拉高。
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