[发明专利]显示器驱动电路及调整显示器输出亮度的方法无效
申请号: | 200910127015.3 | 申请日: | 2009-03-10 |
公开(公告)号: | CN101833912A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 周彦云 | 申请(专利权)人: | 普诚科技股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/28 | 分类号: | G09G3/28;G09G5/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 驱动 电路 调整 输出 亮度 方法 | ||
技术领域
本发明关于显示器,特别涉及显示器的驱动电路。
背景技术
图1为依据现有技术的显示器驱动电路的示意图。驱动电路100包括像素102以及用以驱动像素102的输出级104。驱动电路100的输出级104又包括一p型金属氧化物半导体场效应晶体管(p-type-MOSFET)112及一n型金属氧化物半导体场效应晶体管(n-type-MOSFET)114,两晶体管112及114各包括一栅极耦接至该一像素信号Sp并接受其控制,使该像素102上的电压切换于高压VH及低压(接地电压)VGND之间而开启或关闭。
施加于像素102上的输出电压Vout往往影响像素的亮度,然而,显示器本身的性质也会导致画面亮度出现些微变化。以碳纳米管显示器(carbon nanotube display,CNDP)为例,基于其本身的特性,碳纳米管显示器常因老化而导致亮度渐增。针对上述情况,驱动电路100必须括一调校装置130以达成调整显示器亮度的目的。举例而言,该调校装置130为图1中p型金属氧化物半导体场效应晶体管T1与n型金属氧化物半导体场效应晶体管T2所形成的传输门,接受一偏压Vbias的控制而调整该调校装置130的等效电阻值,进而校准该像素102的显示亮度。
然而,值得注意的是,由于晶体管T1本身的耦合效应(栅极与漏极/源极间存在耦合电容),使得像素102上的输出电压Vout反过来影响偏压Vbias,如图2所示。其中像素102上的输出电压Vout随像素信号Sp而变动于两电压电平之间。当输出电压Vout由低压VGND切换至高压VH时,会使偏压Vbias的电压陡升而产生一突波P1;而当输出电压Vout由高压VH切换至低压VGND时,则会使偏压Vbias的电压剧降而产生另一突波P2。再者,由于显示器的驱动电路100为一高压装置,而操作于像素102上的高压VH,举例而言,可高达110伏特,使得偏压Vbias因上述耦合效应而产生的突波变得不可忽略。一旦偏压Vbias发生变动,该调校装置130的等效电阻值亦随之改变,进而造成显示器画面出现闪烁、跳动等不稳定的现象。
发明内容
本发明提供一种显示器驱动电路,用以驱动一显示器的至少一像素,该显示器驱动电路包括一输出级、一调校装置以及一突波抑制装置。其中该输出级耦接至该像素,并受一像素信号控制以使该像素上的一输出电压切换于一低电平与一高电平之间;该调校装置耦接于该输出级与该像素之间,包括一输入端用以接受一偏压的控制而调整该调校装置的等效电阻值以校准该像素的显示亮度;以及该突波抑制装置耦接于该调校装置的该输入端与该像素信号之间,用以抑制该偏压因该输出电压的电压电平切换所产生的突波。
本发明所述的显示器驱动电路,该突波抑制装置包括一电压下拉装置,用以当该输出电压由该低电平切换至该高电平时将该偏压的电压拉低。
本发明所述的显示器驱动电路,该电压下拉装置包括一第一晶体管,该第一晶体管包括:一第一栅极,耦接至该像素信号;一第一漏极,耦接至该调校装置的该输入端;以及一第一源极,耦接至一低压点。
本发明所述的显示器驱动电路,该电压下拉装置还包括一第一脉波产生器,耦接于该像素信号与该第一栅极之间,用以产生一第一脉波。
本发明所述的显示器驱动电路,该突波抑制装置还包括一电压上拉装置,用以当该输出电压由该高电平切换至该低电平时将该偏压的电压拉高。
本发明所述的显示器驱动电路,该电压上拉装置为一第二晶体管,该第二晶体管包括:一第二栅极,耦接至该像素信号;一第二漏极,耦接至该调校装置的该输入端;以及一第二源极,耦接至一高压点。
本发明所述的显示器驱动电路,该电压上拉装置还包括一第二脉波产生器,耦接于该像素信号与该第二栅极之间,用以产生一第二脉波。
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