[发明专利]配线板、半导体器件及制造配线板和半导体器件的方法

权利要求书

1.一种配线板，包括：

上面布置了第一电极的第一表面和上面布置了第二电极的第二表面； 以及

至少单层绝缘层和至少单层配线层；其中，

布置在所述第二表面上的第二电极嵌入所述绝缘层中；

所述第二电极的暴露于所述第二表面的表面的相反侧表面连接到所 述配线层；

所述第二电极的侧面的一部分不与所述绝缘层接触；

所述配线层的与所述第二电极连接的那个表面是第二电极与第二表 面相反侧的一个表面，所述配线层的侧表面的至少一部分不与所述第二电 极嵌入到的所述绝缘层接触；以及

所述第一电极的侧面的至少一部分不与所述绝缘层接触。

2.根据权利要求1所述的配线板，其中，所述第二电极的暴露于所 述第二表面的表面处在与所述第二表面相同的平面内。

3.根据权利要求1所述的配线板，其中，所述第二电极的暴露于所 述第二表面的表面相对于所述第二表面而下凹。

4.根据权利要求1所述的配线板，其中，所述第二电极的暴露于所 述第二表面的表面从所述第二表面伸出。

5.根据权利要求1所述的配线板，其中所述第一电极和所述第二电 极直接连接。

6.根据权利要求1～5任何之一所述的配线板，其中所述第二电极与 所述配线层直接连接。

7.一种制造配线板的方法，包括：

在支持板上形成绝缘层；

在所述绝缘层中将要形成第二电极的位置形成开口，使得所述支持板 暴露；

在所述开口中形成所述第二电极；

在所述绝缘层和所述第二电极上形成配线层；

在所述绝缘层和所述第二电极上形成第一电极；

除去所述支持板；以及

在所述第二电极的与所述绝缘层接触的侧面处形成间隙。

8.根据权利要求7所述的制造配线板的方法，其中，在所述绝缘层 和所述第二电极上形成配线层的步骤以及在所述绝缘层和所述第二电极 上形成第一电极的步骤包括：通过对相同的导电膜进行构图，来同时形成 所述配线层和所述第一电极。

9.根据权利要求7或8所述的制造配线板的方法，包括以下步骤： 在所述绝缘层中将要形成第二电极的位置形成开口、使得所述支持板暴露 的步骤和在所述开口中形成所述第二电极的步骤之间，通过干法刻蚀或湿 法刻蚀来向所述开口的侧面提供比所述绝缘层更容易除去的绝缘膜。

10.根据权利要求7或8所述的制造配线板的方法，其中，在所述第 二电极的与所述绝缘层接触的侧面处形成间隙的步骤包括湿法刻蚀和/或 干法刻蚀。

11.根据权利要求7或8所述的制造配线板的方法，包括以下步骤： 在除去所述支持板的步骤和在所述第二电极的与所述绝缘层接触的侧面 处形成间隙的步骤之间，使所述第二电极暴露。

12.根据权利要求7或8所述的制造配线板的方法，其中除去所述支 持板的步骤是剥离步骤。

13.根据权利要求7或8所述的制造配线板的方法，其中所述支持板 是导电材料，或者是其表面上形成了导电膜的材料。

14.一种制造配线板的方法，包括：

在支持板上形成绝缘层；

在所述绝缘层中将要形成第二电极的位置形成开口，使得所述支持板 暴露；

在所述开口中形成所述第二电极；

形成至少一层配线层和至少一层绝缘层；

在最上面绝缘层上形成第一电极；

除去所述支持板；以及

在所述第二电极的与所述绝缘层接触的侧面处形成间隙。

15.根据权利要求14所述的制造配线板的方法，其中，在所述最上面 绝缘层上形成第一电极的步骤中，在所述最上面绝缘层上形成配线层。