[发明专利]光照射装置有效
申请号: | 200910127678.5 | 申请日: | 2009-03-18 |
公开(公告)号: | CN101556908A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 门胁徹二 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 照射 装置 | ||
1.一种光照射装置,将从光源射出、透射过配置在所述光源下方遮光罩的 光,照射于配置在所述遮光罩下方的被照射体上,其特征在于,包括:
支承构件,所述支承构件设于所述遮光罩上方;及
多根吸附管,所述吸附管被所述支承构件支承,由具有光透射性的石英玻 璃构成,并且被设置在所述遮光罩的上方,利用真空吸引以吸附保持所述遮光 罩;
所述吸附管包含:第1管材,所述第1管材被所述支承构件支承;及第2 管材,所述第2管材连结于所述第1管材之下端部,沿着所述第2管材的轴向 的两端面是经过研磨处理的研磨面。
2.如权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,所述支承构件设置于偏 离从所述光源射出光的光路的位置。
3.如权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,所述支承构件设置成可 于水平方向移动。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光照射装置,其进一步包括:
周缘部吸附管,具有光透射性,利用真空吸引以吸附保持所述遮光罩的周 缘部;及
支承体,用以支承所述周缘部吸附管。
5.如权利要求4所述的光照射装置,其特征在于,所述支承体设于所述遮 光罩的侧方。
6.如权利要求5所述的光照射装置,其特征在于,所述周缘部吸附管的上 端面位于所述光源下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造