[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征为，具有：

半导体层；

本体层，其包括在上述半导体层表面形成的沟道区域；

第1杂质扩散区域，其以与上述本体层重叠的方式在上述半导体层表面形成；

在上述半导体层上形成的栅极绝缘膜；

栅极电极，其在包括上述沟道区域上的上述半导体层上，隔着上述栅极绝缘膜形成；

在上述半导体层形成的漂移层；和

第2杂质扩散区域，其与上述第1杂质扩散区域对置，并在上述半导体层表面形成，

上述本体层，是以在栅极宽度方向端部、其边界面与上述栅极绝缘膜的下面相接的方式设置的，

上述栅极绝缘膜，在与栅极宽度方向端部的上述本体层的边界面相接的至少一部分，具有膜厚比栅极长度方向的沟道区域上部更厚的厚膜部，

所述半导体装置还具有在上述半导体层上形成且比上述边界面更靠外侧地与上述栅极绝缘膜相接的场绝缘膜，

上述厚膜部，设置在与栅极宽度方向端部的上述场绝缘膜相接的区域，

上述栅极绝缘膜，在栅极长度方向上，不隔着上述厚膜部而与上述场绝缘膜相接。

2.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征为：

上述栅极电极，以包围上述第1杂质扩散区域的方式形成为环状。

3.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征为：

上述栅极绝缘膜，以包围上述第1杂质扩散区域的方式形成为环状。

4.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征为：

上述漂移层，以包围上述本体层的方式形成为环状。

5.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征为：

与上述栅极绝缘膜的下面相接的上述本体层的边界面为U字形，

上述厚膜部设置在上述边界面的角落部上。

6.根据权利要求2记载的半导体装置，其特征为：

与上述栅极绝缘膜的下面相接的上述本体层的边界面为U字形，

上述厚膜部设置在上述边界面的角落部上。

7.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征为：

与上述栅极绝缘膜的下面相接的上述本体层的边界面为U字形，

上述厚膜部，配合上述边界面设置为U字形。

8.根据权利要求5记载的半导体装置，其特征为：

在被上述边界面包围的区域中，还具有以与上述本体层重叠的方式在上述半导体层表面形成的扩散层，

上述厚膜部是以从上述本体层延伸到上述扩散层上的方式设置的。