[发明专利]多向气体分配系统与多向气体分配淋浴头装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种多向气体分配系统，特别涉及可同时传递分离气体的一种气体分配系统。

背景技术

III/V族半导体用以制作如微波频率集成电路的装置。举例而言，微波频率集成电路可为红外线发光二极管、激光二极管、太阳能电池。以砷化镓(GaAs)的III/V族半导体为例，砷化镓为砷与镓两元素的化合物。

为了形成半导体装置中的III/V族半导体层，含有III/V族元素的气体被释放于具有一工件的一腔体之中。通过III族元素与V族元素之间相互反应，于工件之上便可沉积形成一对应的III/V族半导体。就半导体形成方法过程中所加入腔体中的来源气体而言，此来源气体对于最后产生的III/V族半导体装置的均匀性、纯度与结构有相当重要的关联性。

就用于将气体传递的一腔体的现有系统中，此现有系统包括了来源气体的预混合。然而，现有系统的缺点在于预混合的元素、预混合气体传递至腔体的设备维修上问题，这是因为预混合气体会与传递系统产生反应，并且预混合气体会在传递系统中产生沉淀。此外，部分气体无法进行预混合、造成挥发或其它问题。

另一现有系统是采用了依序方式而传递多路气体的腔体。气体传递系统供应一第一气体，随后再通过气体传递系统供应一第二气体。气体传递系统是可对于工件进行回转，并且可依需求而重复此过程，如此便可获得所需的薄膜厚度。此现有系统的主要缺点在于工件的不均匀性。虽然在工件的层结构中是需要一明显浓度变化而可达到上述不均匀性的改良，但在此现有系统中的气体转换方法是无法取得此明显浓度变化。

又一现有系统是采用了将一气体传递至腔体中的一部分，并且将另一气体传递至腔体中的另一部分。气体传递系统是可对于工件进行回转。然而，此现有系统所产生的薄膜具有不均匀、合格率降低等问题。

因此，如何能提出一种新颖的气体分配系统而可针对上述现有技术中的问题提出解决实为重要的课题所在。

发明内容

一般而言，上述现有技术中所产生的问题可通过可同时传递分离气体的一气体分配系统及其技术上的优点而加以克服。

于本发明中的实施例提出了一种多向气体分配系统。此多向气体分配系统包括一腔体与一淋浴头。腔体用以容纳多路气体且排出多路气体。淋浴头设置于腔体之中。淋浴头包括具有至少两分支管路的至少一多通道气体传递管件，至少两分支管路用以同时将未混合的多路气体排放进入腔体。

为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，以下特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。虽然本发明已以较佳实施例进行揭露，然而其并非用以限制本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可做变化与修饰，因此本发明的保护范围当视所附权利要求书所限定的范围所界定的范围为准。

附图说明

图1为示出根据本发明的一实施例的一多向气体分配系统的图式；

图2A、图2B为示出具有两通道气体传递管件的多个淋浴头的实施例的图式；

图3A、图3B为分别示出具有四通道气体传递管件与五通道气体传递管件的多个淋浴头的实施例的图式；

图4为示出内含于淋浴头的气体互连器与入口的图式；

图5为示出具有室挡板的一多向气体分配系统的一实施例的图式；

图6为示出一多向气体分配系统的一实施例的图式，其中，一淋浴头包括一气体传递管件，一腔体包括一挡板；以及

图7A、图7B为示出具有一同心圆淋浴头与多个同心圆挡板的一多向气体分配系统的一实施例的图式。

其中，附图标记说明如下：

100～多向气体分配系统               102～腔体

104～气体输入区域                   106～控制器

108～淋浴头                         110～工件

112～平台                           114～排气孔

116～气体管件                       118～机构

120～箭头                           122～多通道气体传递管件

124～连接件                         126～连接件

208～淋浴头                         222～两通道气体传递管件

234～内分支管路                     236～外分支管路