[发明专利]包括阻抗控制电路的接收装置和半导体装置

权利要求书

1.一种与通信线路(3，12)耦合的接收装置(1，15)，其包括：

接收电路(2，16)，用于接收通过所述通信线路(3，12)传输的信号； 以及

与所述接收电路(2，16)耦合的阻抗控制电路(4，17)，所述阻抗控制 电路(4，17)具有检测部分(5，18a，18b)，其中：

所述检测部分(5，18a，18b)用于检测所述信号的物理值；

所述物理值包括电压、电流和电功率中的至少一种；以及

所述阻抗控制电路(4，17)用于基于所述检测值改变输入阻抗，以便减 小所述信号的振铃振荡。

2.根据权利要求1所述的接收装置(1，15)，其中：

在所述检测值大于阈值时，所述阻抗控制电路(4，17)改变所述输入阻 抗。

3.根据权利要求1所述的接收装置(1，15)，其中：

所述阻抗控制电路(4，17)改变所述输入阻抗，使得所述输入阻抗匹配 所述通信线路(3，12)的特征阻抗。

4.根据权利要求1所述的接收装置(15)，其中：

所述通信线路(12)由用于传输差分信号的第一信号线(12a)和第二信 号线(12b)形成；

所述检测部分(18a，18b)包括第一检测元件(18a)和第二检测元件 (18b)；

所述第一检测元件(18a)插入所述第一信号线(12a)中，用于检测通过 所述第一信号线传输的所述差分信号的物理值；以及

所述第二检测元件(18b)插入所述第二信号线(12b)中，用于检测通过 所述第二信号线传输的所述差分信号的物理值。

5.根据权利要求4所述的接收装置(15)，其中：

所述第一检测元件(18a)和所述第二检测元件(18b)检测的所述物理值 为电压；

在所述第一信号线(12a)和所述第二信号线(12b)之间的电势差大于第 一阈值或小于第二阈值时，所述阻抗控制电路(17)改变所述输入阻抗；以 及

所述第一阈值为正值，所述第二阈值为所述第一阈值的负值。

6.根据权利要求1-5的任一项所述的接收装置(1，15)，其中：

所述阻抗控制电路(4，17)包括半导体开关元件(7，20)。

7.根据权利要求6所述的接收装置(1，15)，其中：

所述阻抗控制电路(4，17)还包括阻抗元件(6，19)；以及

所述阻抗元件(6，9)与所述半导体开关元件(7，20)串联耦合。

8.根据权利要求6所述的接收装置(15)，其中：

所述半导体开关元件包括金属氧化物半导体场效应晶体管(22a，22b)。

9.根据权利要求8所述的接收装置(15b)，其中：

所述阻抗控制电路(28a，28b)还包括栅极偏置电路(29a，29b，30a， 30b)、用于控制阈值的第一阻抗元件(24a，24b)和用于控制所述输入阻抗 的第二阻抗元件(23a，23b)；

所述金属氧化物半导体场效应晶体管(22a，22b)与所述接收电路(16) 并联耦合；

所述金属氧化物半导体场效应晶体管(22a，22b)的背栅极通过所述第 一阻抗元件(24a，24b)耦合到所述金属氧化物半导体场效应晶体管(22a， 22b)的源极侧；

所述金属氧化物半导体场效应晶体管(22a，22b)的栅极通过所述栅极 偏置电路(29a，29b，30a，30b)耦合到所述金属氧化物半导体场效应晶体 管(22a，22b)的漏极侧；以及

所述第二阻抗元件(23a，23b)耦合到所述金属氧化物半导体场效应晶 体管(22a，22b)的所述源极侧和所述漏极侧中的一个。

10.根据权利要求6所述的接收装置(15c)，其中：

所述半导体开关元件包括双极晶体管(32a，32b)。