[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括MOS晶体管，其中包括：

栅氧化膜上形成的栅电极，所述栅氧化膜在第一导电类型的半导体衬底的表面上形成；

第二导电类型的第一偏置扩散层和LOCOS氧化膜，它们在所述栅电极的仅一侧和两侧之一、在所述半导体衬底的表面上形成，不是所述LOCOS氧化膜的一端的LOCOS氧化膜的区域的一部分被去除；以及

在与其中去除了所述LOCOS氧化膜的区域对应的第一偏置扩散层中，形成仅所述第二导电类型的漏扩散层以及所述第二导电类型的漏扩散层和源扩散层两者之一。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述MOS晶体管还包括在仅所述漏扩散层以及所述源扩散层和所述漏扩散层两者之一的外围上的所述第二导电类型的第二偏置扩散层。

3.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

设置在所述半导体衬底的表面上的栅氧化膜以及形成使得与所述栅氧化膜相连的LOCOS氧化膜；

连续设置在所述栅氧化膜的表面与所述LOCOS氧化膜的表面之间的栅电极；

设置在所述栅电极的一端侧上的第二导电类型的第一偏置扩散层，所述第一偏置扩散层在所述半导体衬底的表面附近并且在所述LOCOS氧化膜下方；

设置在其中蚀刻以便去除所述LOCOS氧化膜的一部分的区域中的漏区，所述区域还与所述第一偏置扩散的一部分对应，使得所述漏区比所述第一偏置扩散层更浅；以及

设置在所述栅电极的另一端侧上的所述第二导电类型的源区。

4.如权利要求3所述的半导体器件，还包括：所述第二导电类型的第二偏置扩散层，在平面图中设置于所述第一偏置扩散层内的区域中，使得比所述漏区更大且更深，并且具有比所述第一偏置扩散层的杂质浓度更高的杂质浓度。

5.一种制造半导体器件的方法，包括：

在第一导电类型的半导体衬底上形成牺牲氧化膜；

在所述牺牲氧化膜上形成氮化物膜；

使用图案化的光刻胶仅蚀刻预期区域中的氮化物膜；

通过离子注入仅在作为第一偏置扩散层的区域中形成第二导电类型的偏置扩散层；

在其中蚀刻了所述氮化物膜的区域中形成LOCOS氧化膜；

去除所述氮化物膜和所述牺牲氧化膜；

在所述半导体衬底的表面上形成栅氧化膜，形成多晶硅膜，并且使用图案化的光刻胶仅蚀刻预期区域中的多晶硅膜；

使用图案化的光刻胶来蚀刻所述LOCOS氧化膜的区域中的LOCOS氧化膜，所述LOCOS氧化膜的区域中将要形成仅漏扩散层以及源扩散层和漏扩散层的两者之一；以及

通过离子注入在仅其中去除了所述LOCOS氧化膜的区域以及在其中去除了所述LOCOS氧化膜的区域和其中将要形成所述源扩散层的区域的两者之一中，形成所述第二导电类型的源扩散层和所述第二导电类型的漏扩散层。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

在第一导电类型的半导体衬底上形成牺牲氧化膜；

在所述牺牲氧化膜上形成氮化物膜；

使用图案化的光刻胶仅蚀刻预期区域中的氮化物膜；

通过离子注入仅在作为第一偏置扩散层的区域中形成第二导电类型的所述第一偏置扩散层；

通过离子注入仅在作为第二偏置扩散层的区域中形成所述第二导电类型的所述第二偏置扩散层；

在其中蚀刻了所述氮化物膜的区域中形成LOCOS氧化膜；

去除所述氮化物膜和所述牺牲氧化膜；

在所述半导体衬底的表面上形成栅氧化膜，形成多晶硅膜，并且使用图案化的光刻胶仅蚀刻预期区域中的多晶硅膜；

使用图案化的光刻胶来蚀刻所述LOCOS氧化膜的区域中的LOCOS氧化膜，所述LOCOS氧化膜的区域中将要形成仅漏扩散层以及源扩散层和漏扩散层的两者之一；以及

通过离子注入在仅其中去除了所述LOCOS氧化膜的区域以及其中去除了所述LOCOS氧化膜的区域和其中将要形成所述源扩散层的区域的两者之一中，形成所述第二导电类型的源扩散层和所述第二导电类型的漏扩散层。