[发明专利]热处理装置、热处理装置的温度调整方法和程序有效
申请号: | 200910128449.5 | 申请日: | 2009-03-17 |
公开(公告)号: | CN101540275A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 竹永裕一;王文凌;山口达也;上西雅彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/20;G05D23/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 温度 调整 方法 程序 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于,具备:
容纳多个被处理体的处理室内;
对该处理室内加热的加热单元;
向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给单元;
在将由所述处理气体供给单元供给的处理气体供给至所述处理室 内前对处理气体进行加热的预热单元;
存储与处理内容相应的处理条件的处理条件存储单元,其中所述 处理条件包含由所述加热单元加热的处理室内的温度、由所述预热单 元加热的处理气体的温度、处理的面内均匀性、处理的面间均匀性;
在所述处理条件存储单元存储的处理条件下处理所述被处理体的 处理单元;
对由所述处理单元处理后的处理结果是否满足存储在所述处理条 件存储单元的处理的面内均匀性进行判别,当判别为不满足该面内均 匀性时,计算使由所述预热单元加热的处理气体的温度满足该面内均 匀性的温度,将所述处理条件存储单元存储的处理条件中的由预热单 元加热的处理气体的温度变更为所述计算的处理气体的温度,在变更 后的处理条件下处理所述被处理体而调整处理气体的温度的处理气体 温度调整单元;
对由所述处理单元处理后的处理结果是否满足存储在所述处理条 件存储单元的处理的面间均匀性进行判别,当判别为不满足该面间均 匀性时,计算使由所述加热单元加热的处理室内的温度满足该面间均 匀性时的温度,在将所述处理条件存储单元存储的处理条件中的由加 热单元加热的处理室内的温度变更为所述计算的处理室内的温度的处 理条件下,处理所述被处理体而调整处理室内的温度的处理室温度调 整单元。
2.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
所述处理室温度调整单元,当由所述处理气体温度调整了单元调 整处理气体的温度时,基于在调整该处理气体的温度的处理条件下通 过所述处理单元处理后的处理结果判别是否满足处理的面间均匀性。
3.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
所述处理内容为成膜处理。
4.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
所述处理室被划分为多个区域;
所述加热单元能够针对所述处理室内的每个区域设定温度。
5.一种热处理装置的温度调整方法,其特征在于:
该温度调整方法中的热处理装置具备容纳多个被处理体的处理 室,对该处理室内加热的加热单元,向所述处理室内供给处理气体的 处理气体供给单元,在将由所述处理气体供给单元供给的处理气体供 给至所述处理室内前对处理气体进行加热的预热单元,存储包含由所 述加热单元加热的处理室内的温度、由所述预热单元加热的处理气体 的温度、处理的面内均匀性、处理的面间均匀性的、与处理内容相应 的处理条件的处理条件存储单元,在所述处理条件存储单元存储的处 理条件下处理所述被处理体的处理单元,
该热处理装置的温度调整方法具备:包含对由所述处理单元处理 的处理结果是否满足存储在所述处理条件存储单元的处理的面内均匀 性进行判别的工序,和当判定为不满足该面内均匀性时,计算由所述 预热单元加热的处理气体的温度满足该面内均匀性时的温度,将由所 述处理条件存储单元存储的处理条件中的由预热单元加热的处理气体 的温度变更为所述计算的处理气体的温度,在变更后的处理条件下处 理上述被处理体而调整处理气体的温度的工序的处理气体温度调整工 序;
包含对由所述处理单元处理后的处理结果是否满足存储在所述处 理条件存储单元的处理的面间均匀性进行判别的工序,和当判别为不 满足该面间均匀性时,计算由所述加热单元加热的处理室内的温度满 足该面间均匀性时的温度,在将存储在所述处理条件存储单元的处理 条件中的由加热单元加热的处理室内的温度变更为所述计算的处理室 内的温度的处理条件下处理所述被处理体而调整处理室内的温度的工 序的处理室温度调整工序,
在进行所述处理气体温度调整工序和所述处理室温度调整工序中 一个工序之后再进行另一个工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910128449.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造