[发明专利]热处理装置、热处理装置的温度调整方法和程序

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等被处理体进行热处理的热处理装置、 热处理装置的温度调整方法和程序。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，能够使用进行被处理体例如半导体 晶片的成膜处理等的热处理装置。在该热处理装置中，例如，对应于 需要成膜的薄膜的种类、膜厚等，预备写入了处理温度、处理压力、 气体流量等处理条件的方案，通过选择该方案，基于预先规定的处理 条件进行热处理。

但是，即使进行了基于上述处理条件的热处理，例如，在供给成 膜气体的喷嘴附近，由于其温度容易降低，存在成膜气体无法变为充 分活性状态的情况。如上所述，成膜气体无法变为充分的活性状态， 对于半导体晶片的贴膜恶化，例如，在半导体晶片形成的薄膜的膜厚 均匀性发生恶化。

为了解决相关问题，例如，在专利文献1中，提出了将成膜气体 向处理容器内供给之前通过预热装置进行预热，能够提高在半导体晶 片形成的薄膜的膜厚均匀性的成膜方法和成膜装置。

专利文献1：日本特开2003-209099号公报

但是，即使使用上述的装置，进行基于预先规定的处理条件的热 处理，由于装置的个体差别的影响、处理的半导体晶片的类别不同， 存在半导体晶片上形成的薄膜的膜厚均匀性恶化的情况。为此，装置 的操作员基于经验和感觉对加热器和预热装置的温度进行调整，确保 在半导体晶片的表面成膜的薄膜的膜厚均匀性。

如上所述，在成膜处理中，不具有与热处理装置和工艺相关的知 识和经验的操作员，难以确保在半导体晶片形成的薄膜的膜厚均匀性。 为此，需要能够简易地进行温度调整，从而使即使上述操作员也能够 确保在半导体晶片形成的薄膜的膜厚均匀性的热处理装置。

发明内容

本发明基于上述情况，其目的在于：提供一种能够简易地进行温 度调整的热处理装置、热处理装置的温度调整方法和程序。

本申请发明提供了一种热处理装置，其特征在于，具备：容纳多 个被处理体的处理室内；对该处理室内加热的加热单元；向上述处理 室内供给处理气体的处理气体供给单元；将由上述处理气体供给单元 供给的处理气体供给至上述处理室内前对处理气体进行加热的预热单 元；存储包含由上述加热单元加热的处理室内的温度、由上述预热单 元加热的处理气体的温度、处理的面内均匀性、处理的面间均匀性， 并且与处理内容对应的处理条件的处理条件存储单元；在上述处理条 件存储单元存储的处理条件下处理上述被处理体的处理单元；对上述 处理单元处理后的处理结果是否满足存储在上述处理条件存储单元的 处理的面内均匀性进行判别，当判别为不满足该面内均匀性时，计算 使由上述预热单元加热的处理气体的温度满足该面内均匀性时的温 度，将上述处理条件存储单元存储的处理条件的由预热单元加热的处 理气体的温度变更为上述计算的处理气体的温度，在变更后的处理条 件下处理上述被处理体而调整处理气体的温度的处理气体温度调整单 元；对上述处理单元处理后的处理结果是否满足存储在上述处理条件 存储单元的处理的面间均匀性进行判别，当判别为不满足该面间均匀 性时，计算使由上述加热单元加热的处理室内的温度满足该面间均匀 性时的温度，在将上述处理条件存储单元存储的处理条件的由加热单 元加热后的处理室内的温度变更为上述计算处理室内的温度的处理条 件下处理上述被处理体而调整处理室内的温度的处理室温度调整单 元。

本申请发明提供了一种热处理装置，其特征在于：上述处理室温 度调整单元，当由上述处理气体温度调整单元调整处理气体的温度时， 在调整该处理气体的温度的处理条件下通过上述处理单元基于处理后 的处理结果判别是否满足处理的面间均匀性。

本申请发明提供了一种热处理装置，其特征在于：上述处理内容 为成膜处理。

本申请发明提供了一种热处理装置，其特征在于：上述处理室被 划分为多个区域，上述加热单元能够针对上述处理室内的每个区域设 定温度。