[发明专利]EL显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种EL显示装置的制造方法，包括如下步骤：

形成薄膜晶体管，其包括如下步骤：

在绝缘表面上按顺序层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体 膜、杂质半导体膜及第二导电膜；

在所述第二导电膜上形成第一抗蚀剂掩模；

通过使用所述第一抗蚀剂掩模对所述第一绝缘膜、所述半导 体膜、所述杂质半导体膜及所述第二导电膜进行第一蚀刻，至少使所 述第一导电膜的表面露出；

在第一蚀刻之后，对所述第一导电膜的一部分进行第二蚀刻 来形成栅电极层，以使所述栅电极层的宽度比所述第一绝缘膜的宽度 窄；

通过缩小所述第一抗蚀剂掩模来形成第二抗蚀剂掩模；以及

在第二蚀刻之后，通过使用所述第二抗蚀剂掩模对所述第二 导电膜、所述杂质半导体膜及所述半导体膜的一部分进行第三蚀刻， 形成源电极及漏电极层、源区及漏区层和半导体层，

去除所述第二抗蚀剂掩模；

形成第二绝缘膜来覆盖所述薄膜晶体管；

在所述第二绝缘膜中形成开口来使所述源电极及漏电极层的一 部分露出；

在所述开口及所述第二绝缘膜上选择性地形成第一像素电极；

在所述第一像素电极上形成EL层；以及

在所述EL层上形成第二像素电极，

其中，通过所述第二蚀刻以与所述栅电极层相邻的方式在所述第 二绝缘膜和所述绝缘表面之间形成空洞。

2.一种EL显示装置的制造方法，包括如下步骤：

形成薄膜晶体管，其包括如下步骤：

在绝缘表面上按顺序层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体 膜、杂质半导体膜及第二导电膜；

在所述第二导电膜上形成具有凹部的第一抗蚀剂掩模；

通过使用所述第一抗蚀剂掩模对所述第一绝缘膜、所述半导 体膜、所述杂质半导体膜及所述第二导电膜进行第一蚀刻，至少使所 述第一导电膜的表面露出；

在第一蚀刻之后，对所述第一导电膜的一部分进行第二蚀刻 来形成栅电极层，以使所述栅电极层的宽度比所述第一绝缘膜的宽度 窄；

通过缩小所述第一抗蚀剂掩模来形成第二抗蚀剂掩模，使与 所述第一抗蚀剂掩模的凹部重叠的所述第二导电膜露出；以及

在第二蚀刻之后，通过使用所述第二抗蚀剂掩模对所述第二 导电膜、所述杂质半导体膜及所述半导体膜的一部分进行第三蚀刻， 形成源电极及漏电极层、源区及漏区层和半导体层，

去除所述第二抗蚀剂掩模；

形成第二绝缘膜来覆盖所述薄膜晶体管；

在所述第二绝缘膜中形成开口来使所述源电极及漏电极层的一 部分露出；

在所述开口及所述第二绝缘膜上选择性地形成第一像素电极；

在所述第一像素电极上形成EL层；以及

在所述EL层上形成第二像素电极，

其中，通过所述第二蚀刻以与所述栅电极层相邻的方式在所述第 二绝缘膜和所述绝缘表面之间形成空洞。

3.根据权利要求1或2所述的EL显示装置的制造方法，其中使 用多级灰度掩模形成所述第一抗蚀剂掩模。

4.根据权利要求1或2所述的EL显示装置的制造方法，其中所 述第一蚀刻是干蚀刻，并且所述第二蚀刻是湿蚀刻。

5.根据权利要求1或2所述的EL显示装置的制造方法，其中层 叠利用CVD法或溅射法形成的绝缘膜和利用旋涂法形成的绝缘膜来 形成所述第二绝缘膜。