[发明专利]多栅型场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种多栅型场效应晶体管的制造方法，其特征在于包括：

在衬底上并列形成多个半导体层的工序；

在上述多个半导体层的上表面上分别形成保护膜的工序；

在上述多个半导体层的每一个上形成覆盖各半导体层的两侧面、上述保护膜的两侧面和上表面的第一绝缘层的工序；

在整个表面上形成第一层间绝缘膜，通过对上述第一层间绝缘膜进行平坦化而使上述第一绝缘层的各上表面露出的工序；

通过分别选择性地除去上述第一绝缘层，在除去了上述第一绝缘层的位置形成多个孔穴的工序；

在多个上述孔穴内的上述半导体层的两侧面形成栅绝缘膜的工序；

在整个表面上堆积第一多晶硅膜以填埋多个上述孔穴的工序；

通过对上述第一多晶硅膜进行平坦化而使上述第一层间绝缘膜的上表面露出，并且把上述第一多晶硅膜分离成多个第二多晶硅膜的工序；

在多个上述第二多晶硅膜上形成栅电极形状的掩模的工序；

用上述掩模对多个上述第二多晶硅膜进行构图的工序；

在栅长方向上夹着构图了的多个上述第二多晶硅膜形成由绝缘体构成的侧壁的工序；

用上述掩模和上述侧壁对上述保护膜进行构图，选择性地露出多个上述半导体层的上表面的工序；

向选择性地露出的多个半导体层注入杂质，形成源/漏区的工序；

除去上述掩模，露出多个上述第二多晶硅膜的上表面的工序；

使上表面被露出的多个上述第二多晶硅膜分别变成硅化物的工序；

在整个表面上形成第二层间绝缘膜，在上述第二层间绝缘膜中形成通到每一个上述硅化物的开口，通过填埋上述开口形成与每一个上述硅化物共同连接的金属的连接部的工序；以及

形成与上述连接部连接的布线的工序。

2.一种多栅型场效应晶体管的制造方法，其特征在于包括：

在衬底上并列形成多个半导体层的工序；

在上述多个半导体层的上表面上分别形成保护膜的工序；

在上述多个半导体层的每一个上形成覆盖各半导体层的侧面、上述保护膜的侧面和上表面的第一绝缘层的工序；

在整个表面上形成第一层间绝缘膜，通过对上述第一层间绝缘膜进行平坦化而使上述第一绝缘层的各上表面露出的工序；

通过分别选择性地除去上述第一绝缘层，在除去了上述第一绝缘层的位置形成多个孔穴的工序；

在多个上述孔穴的每一个中的上述半导体层的两侧面形成栅绝缘膜的工序；

形成覆盖多个上述孔穴的每一个的侧面和底面、上述孔穴内的上述栅绝缘膜和上述保护膜的栅金属膜的工序；

形成覆盖上述栅金属膜的多晶硅膜的工序；

以不使上述保护膜上的上述栅金属膜露出的方式对多个上述孔穴的每一个中的上述多晶硅膜和上述栅金属膜进行蚀刻的工序；

之后再次堆积多晶硅膜以分别填埋多个上述孔穴的工序；

通过对上述多晶硅膜进行平坦化而使上述第一层间绝缘膜的上表面露出，并且把上述多晶硅膜分离成多个多晶硅层的工序；

在多个上述多晶硅层上形成栅电极形状的掩模的工序；

用上述掩模对多个上述多晶硅层进行构图的工序；

在栅长方向上夹着构图了的多个上述多晶硅层形成由绝缘体构成的侧壁的工序；

用上述侧壁对上述保护膜进行构图，选择性地露出多个上述半导体层的上表面的工序；

向选择性地露出的多个半导体层注入杂质，形成源/漏区的工序；

除去上述掩模，露出多个上述多晶硅层的每一个的上表面的工序；

在整个表面上形成第二层间绝缘膜，在上述第二层间绝缘膜中形成通到多个上述多晶硅层的每一个的开口，通过填埋上述开口形成与上述多晶硅层的每一个共同连接的金属的连接部的工序；以及

形成与上述连接部连接的布线的工序。

3.如权利要求1或2所述的多栅型场效应晶体管的制造方法，其特征在于还包括：

在形成上述源/漏区之前，对露出的上述半导体层进行选择性蚀刻，以使从上述衬底算起的高度降低的工序。

4.如权利要求1～3中任一项所述的多栅型场效应晶体管的制造方法，其特征在于：

形成上述源/漏区的工序是以从与上述衬底的表面垂直的方向倾斜的角度注入上述杂质。