[发明专利]像素结构及其驱动方法无效
申请号: | 200910128963.9 | 申请日: | 2009-03-20 |
公开(公告)号: | CN101840119A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 廖大舜;施博盛;吴昭慧 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G09G3/36 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 驱动 方法 | ||
1.一种像素结构,包括:
第一栅极线;
数据线,用以提供灰度电压;
第一子像素,包括第一开关晶体管及第一液晶电容,其中当所述第一栅极线导通所述第一开关晶体管时,所述数据线通过所述第一开关晶体管将所述第一液晶电容偏压至第一灰度电压;以及
第二子像素,包括第二开关晶体管、第二液晶电容、耦接第二栅极线的第三开关晶体管、以及耦接时变电压的共享电容,其中当所述第一栅极线导通所述第二开关晶体管时,所述数据线通过所述第二开关晶体管将所述第二液晶电容偏压至所述第一灰度电压;当所述第二栅极线导通所述第三开关晶体管时,所述第二液晶电容与所述共享电容通过所述第三开关晶体管进行电荷共享至第二灰度电压;
其中所述第二灰度电压根据所述时变电压而改变。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其中所述时变电压根据所述第三开关晶体管导通前所述共享电容的电压来决定。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其中所述第二子像素还包括第二储存电容,以与所述第二液晶电容及所述共享电容进行电荷共享。
4.根据权利要求1所述的像素结构,其中所述第一栅极线同时导通所述第一开关晶体管及所述第二开关晶体管。
5.一种像素结构,包括:
第一栅极线;
数据线,用以提供灰度电压;
第一子像素,包括第一开关晶体管及第一液晶电容,其中当所述第一栅极线导通所述第一开关晶体管时,所述数据线通过所述第一开关晶体管将所述第一液晶电容偏压至第一灰度电压;以及
第二子像素,包括第二开关晶体管、第二液晶电容、耦接第二栅极线的第三开关晶体管、共享电容及第四开关晶体管,其中当所述第一栅极线导通所述第二开关晶体管时,所述数据线通过所述第二开关晶体管将所述第二液晶电容偏压至所述第一灰度电压;当所述第一栅极线导通所述第四开关晶体管时,所述共享电容被重置到预设电压;当所述第二栅极线导通所述第三开关晶体管时,所述第二液晶电容与所述共享电容通过所述第三开关晶体管进行电荷共享至第二灰度电压。
6.根据权利要求5所述的像素结构,其中所述预设电压为固定电压或时变电压。
7.根据权利要求6所述的像素结构,其中所述固定电压为公共电压。
8.根据权利要求6所述的像素结构,其中所述时变电压根据所述共享电容被重置前的电压来决定。
9.根据权利要求5所述的像素结构,其中所述第一栅极线同时导通所述第一、第二及第四开关晶体管。
10.根据权利要求5所述的像素结构,其中所述第二子像素还包括第二储存电容,以与所述第二液晶电容及所述共享电容进行电荷共享。
11.一种像素结构的驱动方法,所述像素结构包括第一栅极线、第一子像素及第二子像素,所述第一子像素包括第一开关晶体管及第一液晶电容,所述第二子像素包括第二开关晶体管、第二液晶电容、共享电容及耦接第二栅极线的第三开关晶体管,所述驱动方法包括下列步骤:
以所述第一栅极线导通所述第一开关晶体管及所述第二开关晶体管,以分别将所述第一液晶电容及所述第二液晶电容偏压至第一灰度电压;
将所述共享电容重置到预设电压;以及
以所述第二栅极线导通所述第三开关晶体管,以使所述第二液晶电容与所述共享电容进行电荷共享而达到第二灰度电压。
12.根据权利要求11所述的驱动方法,其中所述预设电压为固定电压或时变电压。
13.根据权利要求12所述的驱动方法,其中所述固定电压为公共电压。
14.根据权利要求12所述的驱动方法,其中所述时变电压根据所述共享电容在重置前的电压决定。
15.根据权利要求11所述的驱动方法,其中所述第一栅极线同时导通所述第一及第二开关晶体管。
16.根据权利要求11所述的驱动方法,其中所述第二子像素还包括第四开关晶体管,将所述共享电容重置到预设电压的步骤还包括下列步骤:以所述第一栅极线导通所述第四开关晶体管以重置所述共享电容。
17.根据权利要求16所述的驱动方法,其中所述第一栅极线同时导通所述第一、第二及第四开关晶体管。
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