[发明专利]像素结构及其驱动方法无效
申请号: | 200910128963.9 | 申请日: | 2009-03-20 |
公开(公告)号: | CN101840119A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 廖大舜;施博盛;吴昭慧 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G09G3/36 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器,且特别涉及一种广视角液晶显示器的像素结构及其驱动方法。
背景技术
大尺寸液晶显示器中,由于像素分布于较广的面积,因此使用者在观看时无法正视显示器上每一像素所显示的影像,因此随着使用者观看角度的不同会产生亮度及对比度的差异。为解决这一问题,广视角技术应运而生,其中,多域垂直配向(multi-domain vertical alignments,MVA)已经被证实能够有效改善色偏(color washout)现象。电容耦合式(capacitance coupling type,C.C.type)像素结构为一种广视角技术,使用这种结构不需更改显示器的驱动方式,然而在显示时却存在残影(image sticking)的问题。另一种广视角技术为双晶体管式(two transistors type,T.T. type)像素结构,这种结构解决了残影问题,但由于必须在所述像素结构中使用两倍数量的栅极线或数据线,因此需要较高的制造成本。
为了改善已知像素结构所存在的问题,三星电子(Samsung Electronics)在SID Symposium Digest 2008提出了一种电荷共享式(charge-shared type)像素结构9,包括子像素(sub-pixel)91及子像素92,如图1所示。通过在电容之间进行电荷的重新共享(charge sharing),所述像素结构9的子像素92与子像素91在操作时可维持不同灰度电压。然而,由于电容CS在TFT3导通前保持前一个帧(frame)的电压,因此当TFT3导通时,液晶电容CLC2难以通过电荷共享以精确达到所需显示的电压电平,使得所述像素在每一帧所显示的灰度亮度均受到前一帧的影响而不同于实际所需操作的灰度。
参照图1及2所示,图2为图1中像素结构9的电压从高灰度亮度切换至中灰度亮度时,两子像素中各电容的电压时序图,其中t1表示第一栅极线Gn导通所述像素结构9的时间区间,t2表示第二栅极线Gn+1导通与其耦接的像素结构(与所述像素结构9相邻)的时间区间。如图所示,在所述时间区间t1,第一栅极线Gn同时导通开关晶体管TFT1及TFT2,使得子像素91的液晶电容电压VC1及子像素92的液晶电容电压VC2根据数据线Data的电压同时降至中灰度电压;在时间区间t2,第二栅极线Gn+1导通开关晶体管TFT3,此时子像素92中通过电容CLC2、CST2及CS之间的电荷共享而使得子像素92的液晶电容电压VC2不同于子像素91的液晶电容电压VC1。
参照图1及3所示,图3为图1中像素结构9的电压从另一灰度亮度(例如低于图2的初始灰度亮度)切换至同一中灰度亮度时,两子像素中各电容的电压时序图,其中子像素91的液晶电容电压VC1及子像素92的液晶电容电压VC2随时间的变化与图2相似,其差别在于第二栅极线Gn+1导通开关晶体管TFT3前,所述共享电容CS具有较低的电压Vcs′,因此当开关晶体管TFT3导通后,图3中子像素92的液晶电容电压VC2′与图2的液晶电容电压VC2具有不同的灰度电压。也即,在每次显示期间,子像素92的灰度电压均受到前一帧灰度电压的影响。
有鉴于此,有必要提出一种液晶显示器的像素结构,其能够更准确地控制子像素的灰度电压电平。
发明内容
本发明提出一种像素结构及其驱动方法,其中每一像素的子像素中的共享电容被耦接至一时变电压,通过控制所述时变电压,可使得子像素中的液晶电容在电荷共享后能达到所需显示的灰度电压。
本发明还提出一种像素结构及其驱动方法,其中在电荷共享前,子像素中的共享电容的电压预先经过重置,使得子像素中的液晶电容在电荷共享后能达到所需显示的灰度电压。
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