[发明专利]降低显影液成本的装置及其方法

说明书

技术领域

本发明涉及显影技术，尤其涉及一种使得使用在半导体制程中显影液浓度均匀的装置及降低因使用显影液所产生成本的方法。

背景技术

在所有半导体制程中，最关键莫过于微影技术，这个技术就像是照相的曝光显影。要把集成电路(IC)工程师设计好的蓝图，忠实的呈现在芯片上，就需要利用曝光显影的技术。当然，在这持续往小尺寸以及高组件密度的半导体制程发展中，有许多的限制因素，其中有一迫切急需解决的因素为“当线宽(Critical Dimension，CD)持续微缩时，显影制程面对不同周遭图案密度环境所遭遇的线宽均匀性问题”。

因此如何使得显影液浓度在半导体制程(消耗)时维持一致，以及降低显影液成本与所耗费的时间，并保持相同的线宽均匀性，是我们当前所欲面对的课题。请参阅表1，为已知技术中检测光罩的图案密度的数据表。首先，我们提供两种不同透光率的光罩，一为WN光罩，其透光率(transmission)为10.10％，另一为WA光罩，其透光率55.90％。在使用一样的曝光能量时，因为不同光罩其图案密度(pattern density)不同，显影液的消耗也会有所不同，故曝光后光罩上的线宽大小在中心与边缘亦有所不同。举例来说，传统上使用如图1(请同时参阅表2)的方法，表2为图1中分别以两种光罩各自曝光后的数据表。首先分别测量如图1中所揭示的五个点分别为点1、点2、点3、点4以及点5的线宽值，以WN光罩进行全片曝光后，这五点的线宽平均值为940.4纳米(nm)；而以WA光罩进行全片曝光后，这五点的线宽平均值为837.0nm。在这个案例中，虽然皆是利用全片曝光的方法，但是因为光罩上的图案密度不同，造成显影液的消耗也会有所不同，导致这五点的线宽值彼此间皆且呈现不规则跳跃(如表2中所示)。

表1

表2

  WN光罩  线宽(nm)  WA光罩  线宽(nm)  1  939.44  1  831.7