[发明专利]相变化内存组件及其制造方法

权利要求书

1.一种相变化内存组件的制造方法，包括：

提供基底，其上形成有下电极；

形成加热电极和介电层于该下电极上，其中该加热电极被该介电层环绕；

蚀刻该加热电极，以在该介电层中形成凹槽；

沉积相变化材料于该介电层上并填入该凹槽中；

研磨该相变化材料，移除高于该介电层表面的部分相变化层，形成局限于该介电层的凹槽中的相变化层；及

形成上电极于该相变化层和该介电层上。

2.如权利要求1所述的相变化内存组件的制造方法，其中该加热电极为包括两具有不同直径的部分的瓶状结构。

3.如权利要求1所述的相变化内存组件的制造方法，其中该加热电极为柱状结构。

4.如权利要求1所述的相变化内存组件的制造方法，在沉积该相变化材料于该介电层上并填入该凹槽中的步骤前，还包括蚀刻该介电层，使该凹槽形成倾斜的侧壁。

5.如权利要求4所述的相变化内存组件的制造方法，其中填入该具有倾斜侧壁的凹槽的相变化层具有倒三角锥状。

6.如权利要求1所述的相变化内存组件的制造方法，其中研磨该相变化材料的步骤采用化学机械抛光法。

7.如权利要求1所述的相变化内存组件的制造方法，在形成该上电极之前，还包括形成阻障层于该加热电极和介电层上。

8.如权利要求1所述的相变化内存组件的制造方法，其中该相变化层自对准的形成于该凹槽中。

9.如权利要求1所述的相变化内存组件的制造方法，其中形成该相变化层的步骤不包括光刻工艺。

10.一种相变化内存组件，包括：

下电极；

介电层，位于该下电极上；

加热电极和相变化层，形成局限结构，位于该介电层中；及

上电极，位于该相变化层和该介电层上。

11.如权利要求10所述的相变化内存组件，其中该局限结构为瓶状结构。

12.如权利要求10所述的相变化内存组件，其中该相变化层为倒三角锥状的结构。

13.如权利要求10所述的相变化内存组件，其中该局限结构为柱状结构。

14.如权利要求10所述的相变化内存组件，其中该相变化层的表面和该介电层的表面共面。

15.如权利要求10所述的相变化内存组件，还包括阻障层，设置于该上电极和该相变化层间。